三星電子株式會社俞炫圭獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113471191B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110208949.0,技術領域涉及:H10D89/10;該發明授權半導體裝置是由俞炫圭;柳志秀;樸在浩設計研發完成,并于2021-02-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置在說明書摘要公布了:提供一種半導體裝置。所述半導體裝置包括在第一方向上彼此相鄰的第一單元區域和填充區域。所述半導體裝置包括:有源圖案,在所述第一單元區域內部在所述第一方向上延伸;柵電極,在所述有源圖案上在與所述第一方向相交的第二方向上延伸;柵極接觸,電連接到所述柵電極的上表面;源極漏極接觸,電連接到所述有源圖案的源極漏極區,所述源極漏極接觸與所述柵電極的一側相鄰;連接線路,在所述第一單元區域和所述填充區域上方在所述第一方向上延伸,并且電連接到所述柵極接觸或所述源極漏極接觸中的一者;和填充線路,位于所述填充區域內部。還提供一種相關的布圖設計方法以及制造方法。
本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了:1.一種半導體裝置,所述半導體裝置包括在第一方向上彼此相鄰的第一單元區域和填充區域,所述半導體裝置包括: 有源圖案,所述有源圖案在所述第一單元區域內部在所述第一方向上延伸; 柵電極,所述柵電極在所述有源圖案上在與所述第一方向相交的第二方向上延伸; 柵極接觸,所述柵極接觸位于所述柵電極的上表面上并且電連接到所述柵電極的所述上表面; 源極漏極接觸,所述源極漏極接觸位于所述有源圖案的源極漏極區上并且電連接到所述有源圖案的所述源極漏極區,所述源極漏極接觸與所述柵電極的一側相鄰; 連接線路,所述連接線路在所述第一單元區域和所述填充區域上方在所述第一方向上延伸,并且位于所述柵極接觸或所述源極漏極接觸中的一者上且電連接到所述柵極接觸或所述源極漏極接觸中的所述一者;和 填充線路,所述填充線路在所述填充區域內部在所述第二方向上延伸,并且位于所述連接線路上且電連接到所述連接線路, 其中,所述柵極接觸的上表面和所述源極漏極接觸的上表面是共面的,并且 其中,所述填充線路的上表面的高度等于或低于所述連接線路的上表面的高度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社,其通訊地址為:韓國京畿道;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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