株式會社國際電氣佐藤崇之獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉株式會社國際電氣申請的專利襯底處理裝置、襯底載置臺罩、處理方法、半導體器件的制造方法及記錄介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115039208B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180012211.5，技術領域涉及：H01L21/31；該發明授權襯底處理裝置、襯底載置臺罩、處理方法、半導體器件的制造方法及記錄介質是由佐藤崇之;室林正季;竹島雄一郎;和久井友一設計研發完成，并于2021-03-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本襯底處理裝置、襯底載置臺罩、處理方法、半導體器件的制造方法及記錄介質在說明書摘要公布了：襯底處理裝置，其具備：供襯底被收容的處理室；襯底載置臺，其設置于處理室內，利用加熱器而被加熱；襯底載置臺罩，其是以配置于襯底載置臺的上表面之上，在上表面載置襯底的方式構成的，襯底載置臺罩由碳化硅構成，至少在載置襯底的一側的表面具有規定的第1厚度的硅氧化層。
本發明授權襯底處理裝置、襯底載置臺罩、處理方法、半導體器件的制造方法及記錄介質在權利要求書中公布了：1.襯底處理裝置，其具備： 供襯底被收容的處理室； 襯底載置臺，其設置于所述處理室內，利用加熱器而被加熱；和 襯底載置臺罩，其構成為配置于所述襯底載置臺的上表面之上，在上表面載置所述襯底， 所述襯底載置臺罩由碳化硅構成，至少在載置所述襯底的一側的表面具有規定的第1厚度的硅氧化層， 所述襯底載置臺罩在與所述襯底載置臺的上表面相對的一側的表面具有第2厚度的硅氧化層， 在所述襯底載置臺罩的與所述襯底載置臺相對的一側的表面，以在與所述襯底載置臺相對的一側的表面的至少一部分與所述襯底載置臺的上表面之間形成第2高度的間隙的方式設置有凹部， 所述襯底載置臺罩設置為能夠相對所述襯底載置臺拆裝。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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