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龍圖騰網獲悉黑龍江大學申請的專利一種全介質隔離硅磁敏三極管制作工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114823843B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110402723.4，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種全介質隔離硅磁敏三極管制作工藝是由趙曉鋒;李蘇蘇;于志鵬;溫殿忠設計研發完成，并于2021-04-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種全介質隔離硅磁敏三極管制作工藝在說明書摘要公布了：本發明公開了一種全介質隔離硅磁敏三極管及其制作工藝，所述全介質隔離硅磁敏三極管包括SOI硅磁敏三極管和介質隔離環，所述SOI硅磁敏三極管包括器件硅1、襯底硅2和埋層二氧化硅3，在器件硅1上設置有硅磁敏三極管，介質隔離環與埋層二氧化硅3形成全介質隔離結構。本發明公開的全介質隔離硅磁敏三極管被介質層包裹，有效實現元器件間隔離，同時限定了載流子在磁場作用下的偏轉程度，改善了硅磁敏三極管的磁靈敏度和溫度特性。此外，本發明還公開了融合微機電系統技術和SOI工藝制備得到的硅磁敏三極管，實現了小型化和集成化，為高性能硅磁敏三極管的批量生產奠定了基礎。

本發明授權一種全介質隔離硅磁敏三極管制作工藝在權利要求書中公布了：1.一種全介質隔離硅磁敏三極管的制作工藝，用于制作一種全介質隔離硅磁敏三極管，其特征在于，所述全介質隔離硅磁敏三極管包括SOI硅磁敏三極管和介質隔離環，所述SOI硅磁敏三極管包括器件硅1、襯底硅2和埋層二氧化硅3，在器件硅1上設置有硅磁敏三極管， 在所述器件硅1上還制作有基極負載電阻Rb和集電極負載電阻RL，在器件硅1的上表面采用感應耦合等離子體刻蝕基區深槽，通過基區深槽注入硼離子，形成p+重摻雜區，作為基區， 介質隔離環與埋層二氧化硅3形成全介質隔離結構， 所述介質隔離環包括介質隔離環一51、介質隔離環二52和介質隔離環三53，三者均設置在器件硅1中，三個介質隔離環相互獨立； 所述硅磁敏三極管設置在介質隔離環一51內部，所述基極負載電阻Rb設置在介質隔離環二52內部，集電極負載電阻RL設置在介質隔離環三53內部； 所述制作工藝包括以下步驟： 步驟1，清洗晶圓一，并在晶圓一上表面一次光刻，刻蝕對版標記； 步驟2，清洗晶圓二，雙面生長二氧化硅層； 步驟3，將晶圓一下表面與晶圓二上表面進行鍵合； 步驟4，二次光刻，將晶圓一上表面的對版標記轉移至晶圓二的下表面； 步驟5，將晶圓一上表面進行減薄處理，并拋光、清洗形成SOI晶圓； 步驟6，三次光刻，在器件硅1的上表面刻蝕介質隔離環的隔離槽和基區深槽； 步驟7，向基區深槽內注入硼離子，形成p+重摻雜區； 步驟8，在器件硅1的上表面生長二氧化硅層，填充隔離槽和基區深槽，形成介質隔離環和基區； 步驟6中，先在晶圓一下表面刻蝕10-20μm深度的隔離槽，然后將晶圓一下表面與晶圓二上表面進行鍵合并形成SOI晶圓后，在器件硅1的上表面繼續刻蝕隔離槽直至兩次刻蝕形成的隔離槽穿通，之后填充介質并進行平坦化處理。

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