合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司栗芳芳獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司申請的專利一種陣列基板的制作方法、陣列基板和顯示面板獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115483226B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110602382.5，技術領域涉及：H10D86/60；該發明授權一種陣列基板的制作方法、陣列基板和顯示面板是由栗芳芳;操彬彬;陸相晚;安暉;葉成枝;呂艷明;李法杰設計研發完成，并于2021-05-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種陣列基板的制作方法、陣列基板和顯示面板在說明書摘要公布了：本發明的實施例公開一種陣列基板的制作方法、陣列基板和顯示面板。該方法包括：在襯底上形成TFT晶體管，包括柵極、柵極絕緣層、有源區、源極和漏極；形成第一無機膜層，覆蓋所述顯示區；在第一無機膜層上形成第一有機膜區，露出漏極對應的第一無機膜層；形成第二無機膜層，包覆第一有機膜區；在靠近漏極的第二無機膜層上形成公共電極；形成第三無機膜層，覆蓋顯示區；形成開孔，以露出漏極；在靠近漏極的第三無機膜層上形成像素電極，像素電極與漏極電連接。本發明通過在有機膜層上形成一層高密度的無機膜層作為保護層，從而使得在后續步驟制作公共電極時，使用剝離液剝離光刻膠時，剝離液與有機膜區無法接觸，從而有機膜區也就不會出現溶脹。
本發明授權一種陣列基板的制作方法、陣列基板和顯示面板在權利要求書中公布了：1.一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括顯示區，其特征在于，包括： 在襯底上形成TFT晶體管，包括柵極、在所述柵極后依次形成柵極絕緣層、有源區、源極和漏極； 形成第一無機膜層，覆蓋所述顯示區； 在第一無機膜層上形成第一有機膜區，露出所述漏極對應的第一無機膜層； 形成第二無機膜層，包覆所述第一有機膜區，所述第一有機膜區材料是PAC； 在靠近所述漏極的第二無機膜層上形成公共電極，和所述公共電極上的輔助電極； 所述輔助電極的制備方法包括：利用圖案化的第一光刻膠做掩模，對輔助電極層進行圖案化，從而形成所述輔助電極；具體包括使用剝離液浸泡去除所述第一光刻膠； 形成第三無機膜層，覆蓋所述顯示區； 形成開孔，以露出所述漏極； 在靠近所述漏極的第三無機膜層上形成像素電極，所述像素電極與所述漏極電連接。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區工業園內；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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