意法半導體(克洛爾2)公司E·布雷扎獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉意法半導體(克洛爾2)公司申請的專利雙極晶體管及制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114388361B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111216099.5，技術領域涉及：H10D10/01；該發明授權雙極晶體管及制造方法是由E·布雷扎;A·高蒂爾設計研發完成，并于2021-10-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本雙極晶體管及制造方法在說明書摘要公布了：公開了雙極晶體管及制造方法。雙極晶體管包括集電極區，該集電極區具有位于襯底中的第一摻雜部分和覆蓋并與第一摻雜部分的區域接觸的第二摻雜部分。集電極區具有摻雜分布，該摻雜分布在第一部分具有峰值，并且從該峰值到第二部分減小。
本發明授權雙極晶體管及制造方法在權利要求書中公布了：1.一種用于在集成電路內制造至少一個雙極晶體管的方法，包括： 通過在半導體襯底內注入摻雜劑來產生集電極區，以便形成所述集電極區的第一摻雜部分，并且形成所述集電極區的第二摻雜部分，所述第二摻雜部分覆蓋并且接觸所述第一摻雜部分的區域； 其中形成所述第二摻雜部分包括： 從所述區域的表面外延生長非摻雜半導體材料；以及 從所述第一摻雜部分在外延的所述材料中擴散摻雜劑； 其中所述擴散至少由所述外延生長激活；并且 控制所述擴散摻雜劑； 其中所述集電極區的所述第二摻雜部分與所述晶體管的基區接觸， 其中所述非摻雜半導體材料的外延生長包括在離所述基區一定距離處停止外延生長，并且 其中控制包括：通過在所述非摻雜半導體材料中原位摻雜碳來繼續外延生長，以便在所述第二摻雜部分中形成所述半導體材料的含碳的上層，所述上層與所述基區接觸。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人意法半導體(克洛爾2)公司，其通訊地址為：法國克洛爾；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號