湖南大學段曦東獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉湖南大學申請的專利一種晶圓級二維半導體器件及其范德華集成方法和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113972139B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111225220.0，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種晶圓級二維半導體器件及其范德華集成方法和應用是由段曦東;楊向東設計研發完成，并于2021-10-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種晶圓級二維半導體器件及其范德華集成方法和應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種晶圓級二維半導體器件的范德華集成方法，將載體?聚合物印章復合在接觸電極表面，進行剝離處理，將接觸電極中的金屬電極陣列從接觸電極基片上轉移至載體?聚合物印章上，獲得載體?聚合物?金屬電極材料；所述的載體與聚合物之間存在化學改性賦予的化學鍵合作用；在背柵電極表面復合過渡金屬鹵素類化合物二維材料，獲得背柵電極?TMDs復合材料；載體?聚合物??金屬電極材料和背柵電極?TMDs復合材料根據需要的集成電路方式進行對準，隨后剝離載體?聚合物印章，并進行刻蝕處理，獲得晶圓級二維半導體器件。本發明大規模范德華集成方法可為二維半導體器件的可靠集成開辟一條道路，促進二維半導體電子器件的實際化應用。
本發明授權一種晶圓級二維半導體器件及其范德華集成方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種晶圓級二維半導體器件的范德華集成方法，其特征在于： 將載體-聚合物印章復合在接觸電極表面，進行剝離處理，將接觸電極中的金屬電極陣列從接觸電極基片上轉移至載體-聚合物印章上，獲得載體-聚合物-金屬電極材料；印章中，載體為表面具有Si-O鍵的透明平面載體，聚合物為玻璃化轉變溫度為100~150℃的聚合物，所述的載體與聚合物之間存在化學改性賦予的化學鍵合作用； 在背柵電極表面復合過渡金屬鹵素類化合物二維材料，獲得背柵電極-TMDs復合材料； 載體-聚合物-金屬電極材料和背柵電極-TMDs復合材料根據需要的集成電路方式進行對準，隨后剝離載體-聚合物印章，并進行刻蝕處理，獲得晶圓級二維半導體器件。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖南大學，其通訊地址為：410082 湖南省長沙市岳麓區麓山南路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號