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龍圖騰網(wǎng)獲悉武漢天馬微電子有限公司申請的專利氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114530505B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111287388.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/67；該發(fā)明授權(quán)氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管及其制造方法是由竹知和重設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-11-02向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管及其制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管及其制造方法。在氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管中，氧化物半導(dǎo)體部包括溝道區(qū)域以及夾著溝道區(qū)域的第一源極漏極區(qū)域和第二源極漏極區(qū)域。由相對介電常數(shù)不小于8的金屬化合物制成的絕緣體部位于柵極電極部與氧化物半導(dǎo)體部之間。第一化合物界面部包含氧化物半導(dǎo)體部的構(gòu)成元素和絕緣體部的構(gòu)成元素，并具有與第一源極漏極電極部的界面以及與第一源極漏極區(qū)域的另一界面。第二化合物界面部包含氧化物半導(dǎo)體部的構(gòu)成元素和絕緣體部的構(gòu)成元素，并具有與第二源極漏極電極部的界面以及與第二源極漏極區(qū)域的另一界面。

本發(fā)明授權(quán)氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管，包括： 氧化物半導(dǎo)體部，所述氧化物半導(dǎo)體部包括溝道區(qū)域以及夾著所述溝道區(qū)域的第一源極漏極區(qū)域和第二源極漏極區(qū)域； 柵極電極部； 絕緣體部，所述絕緣體部位于所述柵極電極部與所述氧化物半導(dǎo)體部之間，所述絕緣體部由相對介電常數(shù)不小于8的金屬化合物制成； 第一源極漏極電極部； 第二源極漏極電極部； 第一化合物界面部，所述第一化合物界面部具有與所述第一源極漏極電極部的界面以及與所述第一源極漏極區(qū)域的另一界面，所述第一化合物界面部包含所述氧化物半導(dǎo)體部的構(gòu)成元素和所述絕緣體部的金屬構(gòu)成元素；以及 第二化合物界面部，所述第二化合物界面部具有與所述第二源極漏極電極部的界面以及與所述第二源極漏極區(qū)域的另一界面，所述第二化合物界面部包含所述氧化物半導(dǎo)體部的構(gòu)成元素和所述絕緣體部的金屬構(gòu)成元素。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人武漢天馬微電子有限公司，其通訊地址為：430205 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)流芳園橫路8號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。