X-FAB全球服務有限公司曹學舟獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)獲悉X-FAB全球服務有限公司申請的專利降低的閃變噪聲的晶體管布局獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN114497221B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202111344327.7，技術領域涉及：H10D30/60；該發(fā)明授權降低的閃變噪聲的晶體管布局是由曹學舟;田世瑤;米凱琳娜·翁設計研發(fā)完成，并于2021-11-12向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本降低的閃變噪聲的晶體管布局在說明書摘要公布了：一種晶體管包括：擴散區(qū)，包括漏極、源極、以及在漏極與源極之間的溝道；圍繞擴散區(qū)的隔離區(qū)，以用于電隔離晶體管；以及柵極多晶硅，與溝道的至少一部分重疊，其中，擴散區(qū)沿溝道寬度方向橫向延伸超過柵極多晶硅。
本發(fā)明授權降低的閃變噪聲的晶體管布局在權利要求書中公布了：1.一種晶體管，包括： 擴散區(qū)，包括漏極、源極、以及在所述漏極與所述源極之間的溝道，其中，所述擴散區(qū)具有十字形，所述十字形包括第一對相對的臂和第二對相對的臂，并且所述源極和所述漏極位于所述第一對相對的臂的各自的臂中； 圍繞所述擴散區(qū)的隔離區(qū)，用于電隔離所述晶體管；以及 柵極多晶硅，所述柵極多晶硅為H形，具有一對平行的矩形部分，所述矩形部分由橫梁部分連接并且所述柵極多晶硅與所述溝道的至少一部分重疊，其中，所述擴散區(qū)的所述第二對相對的臂沿溝道寬度方向延伸超過所述柵極多晶硅的所述一對平行的矩形部分。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" href="https://iptop.www.hzsmkbearing.com.cn/list?keyword=X-FAB%E5%85%A8%E7%90%83%E6%9C%8D%E5%8A%A1%E6%9C%89%E9%99%90%E5%85%AC%E5%8F%B8&temp=1">X-FAB全球服務有限公司，其通訊地址為：德國艾爾福特；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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