杭州電子科技大學王世場獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉杭州電子科技大學申請的專利一種基于N型局部有源憶阻器的神經元電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114118396B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111466078.9，技術領域涉及：G06N3/063；該發明授權一種基于N型局部有源憶阻器的神經元電路是由王世場;陳帥群;梁燕;盧振洲設計研發完成，并于2021-12-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于N型局部有源憶阻器的神經元電路在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于N型局部有源憶阻器的神經元電路，由一個N型局部有源憶阻器、一個電感L、一個激勵電壓源VD串聯組成。N型局部有源憶阻器是一種在DCV?I特性曲線中呈現N型負微分電導的憶阻器。通過對該具有特殊數學模型的N型局部有源憶阻器和電感串聯構成神經元電路，施加合適的電壓激勵，使N型局部有源憶阻器具有放大小信號的能力，產生復雜的神經形態行為，為N型局部有源憶阻器在神經形態計算中的應用奠定了一定的基礎。
本發明授權一種基于N型局部有源憶阻器的神經元電路在權利要求書中公布了：1.一種基于N型局部有源憶阻器的神經元電路，其特征在于：由一個N型局部有源憶阻器、一個電感L、一個激勵電壓源VD組成；激勵電壓源VD的負極與地相連，正極與電感L的一端連接，電感L的另一端與N型局部有源憶阻器的一端與相連，N型局部有源憶阻器的另一端接地； 所述N型局部有源憶阻器數學模型為： 其中i,v,x分別為流經N型局部有源憶阻器的電流、N型局部有源憶阻器兩端的電壓和N型局部有源憶阻器的狀態變量，GM為憶導函數，d1,d0,τ,α都為常數。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人杭州電子科技大學，其通訊地址為：310018 浙江省杭州市下沙高教園區2號大街；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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