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龍圖騰網獲悉無錫中微高科電子有限公司申請的專利濾波器的封裝結構及其封裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114189226B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111488378.7，技術領域涉及：H03H9/05；該發明授權濾波器的封裝結構及其封裝方法是由錢立偉;王成遷;戴飛虎;楊誠;高艷設計研發完成，并于2021-12-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本濾波器的封裝結構及其封裝方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種濾波器的封裝結構，在濾波器芯片上設有管腳，在管腳上設有金屬焊墊，在金屬焊墊上設有互聯柱，在互聯柱與金屬焊墊的外側設有絕緣層，在絕緣層的上方設有鈍化層，在鈍化層的上方設有硅襯底，在硅襯底上開設有互聯孔，在互聯柱上設有第一再布線層，第一再布線層的下端部分與互聯柱連接，在第一再布線層的上端部分上設有第二再布線層，在第二再布線層上設有互聯凸點。本發明通過在硅襯底背面制作互聯孔實現電氣互聯，同時制備一層絕緣層來形成凹槽結構，制備諧振器件所需的空腔結構，制作方法簡便，金屬鍵合操作簡單，密閉性良好，適合大規模量產使用。

本發明授權濾波器的封裝結構及其封裝方法在權利要求書中公布了：1.一種濾波器的封裝方法，其特征是該方法包括以下步驟： S1、取硅襯底（7），在硅襯底（7）的上表面通過干法刻蝕工藝刻蝕出互聯孔（10）； S2、在硅襯底（7）的上表面沉積出鈍化層（9）； S3、在對應互聯孔（10）位置的鈍化層（9）的上表面制作出第一再布線層（4）； S4、在第一再布線層（4）與鈍化層（9）的上表面制作出絕緣層（5）； S5、在絕緣層（5）上形成第一凹槽與第二凹槽，第一凹槽使互聯孔（10）一側的第一再布線層（4）的部分上表面露出，第二凹槽使相鄰互聯孔（10）之間的鈍化層（9）的部分上表面露出； S6、在第一凹槽作出互聯柱（6），互聯柱（6）的高度低于絕緣層（5）的厚度，備用； S7、取濾波器芯片（2），在芯片工作區域外側的管腳（1）上做出金屬焊墊（3）； S8、通過金屬鍵合工藝將步驟S7得到的濾波器芯片與步驟S6得到的硅襯底（7）倒置后通過金屬焊墊（3）與互聯柱（6）實現互聯，形成封裝體半成品； S9、通過研磨和干法刻蝕的工藝，使互聯孔（10）內的第一再布線層（4）的底部露出，形成封裝體半成品； S10、利用再布線工藝在第一再布線層（4）上繼續實現若干層再布線，形成第二再布線層（8），在第二再布線層（8）上制作互聯凸點（11），使第二再布線層（8）與外部實現電連接，最后將完成的封裝體切成單顆封裝芯片。

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