蘇州東微半導體股份有限公司林敏之獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘇州東微半導體股份有限公司申請的專利IGBT器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116264242B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111534459.6，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權IGBT器件是由林敏之;劉磊;劉偉;袁愿林設計研發完成，并于2021-12-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本IGBT器件在說明書摘要公布了：本發明屬于半導體功率器件技術領域，具體公開了一種IGBT器件，包括n型半導體層；位于n型半導體層內的若干個p型體區，位于n型半導體層內且介于相鄰的p型體區之間的柵溝槽，位于柵溝槽的下部內的屏蔽柵，位于柵溝槽的上部內的柵極，所述柵極、屏蔽柵與n型半導體層之間互相絕緣隔離；若干個p型體區中，至少有一個p型體區具有第一摻雜濃度并定義為第一p型體區，且至少有一個p型體區具有第二摻雜濃度并定義為第二p型體區，第一p型體區的第一摻雜濃度小于第二p型體區的第二摻雜濃度；至少有一個與第一p型體區相鄰的柵溝槽內的屏蔽柵外接柵極電壓，剩余的柵溝槽內的屏蔽柵外接發射極電壓。
本發明授權IGBT器件在權利要求書中公布了：1.IGBT器件，其特征在于，包括： p型集電極區； 位于所述p型集電極區之上的n型半導體層； 位于所述n型半導體層內的若干個p型體區，所述p型體區內設有n型發射極區； 位于所述n型半導體層內且介于相鄰的所述p型體區之間的柵溝槽，位于所述柵溝槽的下部內的屏蔽柵，位于所述柵溝槽的上部內的柵極，所述柵極、所述屏蔽柵與所述n型半導體層之間互相絕緣隔離； 若干個所述p型體區中，至少有一個所述p型體區具有第一摻雜濃度并定義為第一p型體區，且至少有一個所述p型體區具有第二摻雜濃度并定義為第二p型體區，所述第一p型體區的第一摻雜濃度小于所述第二p型體區的第二摻雜濃度； 至少有一個與所述第一p型體區相鄰的所述柵溝槽內的所述屏蔽柵外接柵極電壓，剩余的所述柵溝槽內的所述屏蔽柵外接發射極電壓。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州東微半導體股份有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市蘇州工業園區金雞湖大道99號蘇州納米城西北區20棟515室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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