株式會社日立功率半導體德光成太獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉株式會社日立功率半導體申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114664941B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111583602.0，技術領域涉及：H10D12/00；該發明授權半導體裝置是由德光成太;白石正樹;加藤豐;織田哲男設計研發完成，并于2021-12-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置在說明書摘要公布了：本發明提供一種可靠性高的半導體裝置，其通過比較簡單的方法提高芯片的終端構造終端區域的高溫高濕偏壓，并且可抑制對設備特性的影響。具備配置于半導體基板的主面的有源區域和以包圍所述有源區域的方式配置于所述主面的終端區域，所述終端區域具有形成于所述半導體基板的主面上的層間絕緣膜和以覆蓋所述層間絕緣膜的方式形成的有機系保護膜，在所述層間絕緣膜與所述有機系保護膜之間設有膜厚為100nm以下的含有氮的絕緣膜。
本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其特征在于， 該半導體裝置具備： 有源區域，其配置于半導體基板的主面；以及 終端區域，其以包圍所述有源區域的方式配置于所述主面， 所述終端區域具有形成于所述半導體基板的主面上的層間絕緣膜以及以覆蓋所述層間絕緣膜的方式形成的有機系保護膜， 在所述層間絕緣膜與所述有機系保護膜之間設有膜厚為20nm以上且50nm以下的含有氮的絕緣膜。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社日立功率半導體，其通訊地址為：日本茨城縣；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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