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龍圖騰網獲悉上海集成電路裝備材料產業創新中心有限公司;上海集成電路研發中心有限公司申請的專利應用于高速模式的MIPI電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114301444B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111643682.4，技術領域涉及：H03K19/0185；該發明授權應用于高速模式的MIPI電路是由黃耀;楊海玲;王潤華;王亞寧;連夏夢設計研發完成，并于2021-12-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本應用于高速模式的MIPI電路在說明書摘要公布了：本發明提供了一種應用于高速模式的MIPI電路，包括輸出單元、驅動單元和匹配單元，所述匹配單元用于產生使MOS管導通阻抗與目標阻抗相同的驅動電壓，并采用所述驅動電壓為所述驅動單元供電，所述驅動單元用于接收初始高速差分信號，產生所述驅動電壓電壓域下的高速差分信號，以驅動所述輸出單元輸出目標高速差分信號，使得所述目標高速差分信號的電壓域為所述驅動電壓電壓域下的高速差分信號，進而使得所述目標高速差分信號與所述目標阻抗相關，降低了MOS管工藝、電壓和溫度對應用于高速模式的MIPI電路的影響。

本發明授權應用于高速模式的MIPI電路在權利要求書中公布了：1.一種應用于高速模式的MIPI電路，其特征在于，包括輸出單元、驅動單元和匹配單元，所述匹配單元用于產生使MOS管導通阻抗與目標阻抗相同的驅動電壓，并采用所述驅動電壓為所述驅動單元供電，所述驅動單元用于接收初始高速差分信號，產生所述驅動電壓電壓域下的高速差分信號，以驅動所述輸出單元輸出目標高速差分信號； 所述匹配單元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、電流源、第一電阻、第一NMOS管和第一運算放大器，所述第一PMOS管、所述第二PMOS管和所述第三PMOS管構成電流鏡，所述第一PMOS管的源極、所述第二PMOS管的源極和所述第三PMOS管的源極接工作電壓，所述第一PMOS管的漏極連接所述電流源的負極，所述電流源的正極接地，所述第二PMOS管的漏極與所述第一電阻的一端和所述第一運算放大器的反相輸入端連接，所述第一電阻的另一端接地，所述第三PMOS管的漏極與所述第一NMOS管的漏極和所述第一運算放大器的同相輸入端連接，所述第一運算放大器的輸出端與所述第一NMOS管的柵極連接，所述第一NMOS管的源極接地； 或，所述匹配單元包括第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、電流源、第一電阻、第一NMOS管和第一運算放大器，所述第六NMOS管、所述第七NMOS管和所述第八NMOS管構成電流鏡，所述第六NMOS管的源極、所述第七NMOS管的源極和所述第八NMOS管的源極接地，所述第六NMOS管的漏極連接所述電流源的正極，所述電流源的負極接工作電壓，所述第七NMOS管的漏極與所述第一電阻的一端和所述第一運算放大器的反相輸入端連接，所述第一電阻的另一端接工作電壓，所述第八NMOS管的漏極與所述第一NMOS管的源極和所述第一運算放大器的同相輸入端連接，所述第一運算放大器的輸出端與所述第一NMSO管的柵極連接，所述第一NMOS管的漏極接工作電壓。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海集成電路裝備材料產業創新中心有限公司;上海集成電路研發中心有限公司，其通訊地址為：201800 上海市嘉定區葉城路1288號6幢JT2216室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。