北海惠科半導體科技有限公司郭幸辰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北海惠科半導體科技有限公司申請的專利二極管的制備方法及半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114300358B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111671357.9，技術領域涉及：H10D8/01；該發明授權二極管的制備方法及半導體器件是由郭幸辰;魯艷春設計研發完成，并于2021-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本二極管的制備方法及半導體器件在說明書摘要公布了：本申請涉及一種二極管的制備方法及半導體器件。該方法包括：提供襯底，在襯底的正面和背面分別生長第一氧化層；通過干法刻蝕的方式刻蝕掉襯底正面的部分第一氧化層；對襯底的正面以及第一氧化層的正面和側面進行離子注入，生成第一摻雜區；對襯底的正面和背面以及第一氧化層的正面和側面進行高溫推結，在第一氧化層的正面和背面以及第一摻雜區的正面分別生長第二氧化層；通過濕法刻蝕的方式刻蝕掉襯底背面的第一氧化層和第二氧化層以及襯底正面的部分第一氧化層和部分第二氧化層；對襯底的正面和背面以及第二氧化層的正面和側面作擴散處理，生成第二摻雜區。第一氧化層可以保護襯底背面，在離子注入的時候不損傷襯底，無需減薄襯底，節省工序。
本發明授權二極管的制備方法及半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種二極管的制備方法，其特征在于，包括： 提供襯底，在襯底的正面和背面分別生長第一氧化層； 通過干法刻蝕的方式刻蝕掉襯底正面的部分第一氧化層； 對襯底的正面以及第一氧化層的正面和側面進行離子注入，在襯底正面中心位置生成第一摻雜區； 對襯底的正面和背面以及第一氧化層的正面和側面進行高溫推結，在第一氧化層的正面和背面以及第一摻雜區的正面分別生長第二氧化層； 通過濕法刻蝕的方式刻蝕掉襯底背面的第一氧化層和第二氧化層以及襯底正面的部分第一氧化層和部分第二氧化層； 對襯底的正面和背面以及第二氧化層的正面和側面作擴散處理，生成第二摻雜區； 所述第一摻雜區為N+摻雜區，所述第二摻雜區為P+摻雜區； 在所述通過干法刻蝕的方式刻蝕掉襯底正面的部分第一氧化層的步驟中，包括：對襯底正面的第一氧化層進行各向異性刻蝕。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北海惠科半導體科技有限公司，其通訊地址為：536005 廣西壯族自治區北海市工業園區北海大道東延線336號廣西惠科科技有限公司16幢三樓301室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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