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龍圖騰網獲悉中國電子科技集團公司第二十四研究所申請的專利功率半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114335164B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210048779.9，技術領域涉及：H10D64/00；該發明授權功率半導體器件及其制造方法是由譚開洲;肖添;張嘉浩;楊永暉;蔣和全;李儒章;張培健;鐘怡;王鵬;王育新;付曉君;唐昭煥設計研發完成，并于2022-01-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本功率半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種功率半導體器件及其制造方法，在外延層的終端區中設置多個沿第一方向貫穿外延層延伸至襯底中的第二電阻場板結構，且多個第二電阻場板結構在第一平面內呈放射狀設置，從靠近元胞區的一側延伸至遠離元胞區的一側，多個緊耦合的第二電阻場板結構形成一個向四周發散的更均勻的三維電場分布，優化了對元胞區空間耗盡區電荷的引導束縛效果，提高了整個功率半導體器件的耐壓性能；終端區的第二電阻場板結構與元胞區的第一電阻場板結構均為第二代基于體內電阻場板的超結技術，工藝兼容，制造成本低，且工藝難度低；采用基于深槽刻蝕的現代2.5維立體加工工藝，利于結構小型化設計和高密度化設計，更適應現代集成半導體器件超越摩爾的發展方向。

本發明授權功率半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種功率半導體器件，其特征在于，包括： 襯底，具有相對設置的正面和背面； 外延層，設置在所述襯底的正面上，其包括在第一平面內相鄰設置的元胞區和終端區，所述終端區包圍所述元胞區； 有源區，設置在所述元胞區中且位于所述外延層的頂部，其內形成有元胞結構； 多個第一電阻場板結構，設置在所述外延層的元胞區中，沿第一方向貫穿所述外延層延伸至所述襯底中，多個所述第一電阻場板結構沿第二方向在所述第一平面內延伸； 多個第二電阻場板結構，設置在所述外延層的終端區中，沿所述第一方向貫穿所述外延層延伸至所述襯底中，多個所述第二電阻場板結構在所述第一平面內呈放射狀設置，從靠近所述元胞區的一側延伸至遠離所述元胞區的一側； 第一電極，設置在所述外延層的元胞區上，且與各個所述第一電阻場板結構歐姆接觸； 第二電極，設置在所述外延層的終端區靠近所述元胞區的一側上，與各個所述第二電阻場板結構歐姆接觸，且所述第二電極包圍所述第一電極； 第三電極，設置在所述外延層的終端區遠離所述元胞區的一側上，與各個所述第二電阻場板結構歐姆接觸，且所述第三電極包圍所述第二電極； 第四電極，設置在所述襯底的背面上，且通過所述襯底分別與各個所述第一電阻場板結構及各個所述第二電阻場板結構歐姆接觸； 其中，所述第一平面平行于所述襯底的正面，所述第一方向垂直于所述第一平面； 其中，所述第一電阻場板結構和所述第二電阻場板結構均包括場板介質層和半絕緣多晶硅材料，所述場板介質層位于所述半絕緣多晶硅材料的兩側。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國電子科技集團公司第二十四研究所，其通訊地址為：400060 重慶市南岸區南坪花園路14號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。