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龍圖騰網獲悉成都天成電科科技有限公司申請的專利超寬帶晶圓級封裝匹配結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114496986B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210123804.5，技術領域涉及：H01L23/538；該發明授權超寬帶晶圓級封裝匹配結構是由王璞;劉強;郭齊設計研發完成，并于2022-02-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本超寬帶晶圓級封裝匹配結構在說明書摘要公布了：本申請涉及一種超寬帶晶圓級封裝匹配結構，包括：芯片晶圓級封裝部分和PCB部分，芯片晶圓級封裝部分包括：封裝襯底、芯片、第一鈍化層、RDL、第二鈍化層、UBM和焊球。芯片包括：功能面、底面和芯片焊盤；芯片的底面鑲嵌在封裝襯底中，且芯片的功能面外露；第一鈍化層包括：第一鈍化層金屬通孔；第一鈍化層設置在芯片的功能面外側，且第一鈍化層金屬通孔中心與芯片焊盤中心對齊；RDL包括：RDL信號線和RDL金屬接地；RDL設置在第一鈍化層外側；UBM包括：信號UBM和接地UBM；UBM設置在第二鈍化層中；第二鈍化層設置在RDL外側；芯片通過焊球和PCB部分垂直互連；其中，RDL信號線設置有匹配節，用于調節第一鈍化層金屬化通孔和信號UBM之間的阻抗失配。

本發明授權超寬帶晶圓級封裝匹配結構在權利要求書中公布了：1.一種超寬帶晶圓級封裝匹配結構，其特征在于，包括： 芯片晶圓級封裝部分和PCB部分； 所述芯片晶圓級封裝部分包括：封裝襯底、芯片、第一鈍化層、RDL、第二鈍化層、UBM和焊球； 所述芯片包括：功能面、底面和芯片焊盤；所述芯片的底面鑲嵌在所述封裝襯底中，且所述芯片的功能面外露； 所述第一鈍化層包括：第一鈍化層金屬通孔；所述第一鈍化層設置在所述芯片的功能面外側，且所述第一鈍化層金屬通孔中心與所述芯片焊盤中心對齊； 所述RDL包括：RDL信號線和RDL金屬接地；所述RDL設置在所述第一鈍化層外側； 所述UBM包括：信號UBM和接地UBM；所述UBM設置在所述第二鈍化層中； 所述第二鈍化層設置在所述RDL外側； 所述芯片通過所述焊球和所述PCB部分垂直互連； 其中，所述RDL信號線設置有匹配節，用于調節所述第一鈍化層金屬化通孔和信號UBM之間的阻抗失配； 所述PCB部分包括：PCB焊盤、高阻線、Klopfenstein漸變線、微帶線和介質基板； 所述PCB焊盤、所述高阻線、所述Klopfenstein漸變線和所述微帶線設置在所述介質基板上； 所述芯片通過所述焊球和所述PCB焊盤垂直互連； 所述PCB焊盤連接所述高阻線； 所述Klopfenstein漸變線分別連接所述高阻線和所述微帶線； 所述RDL金屬接地對稱分布在所述RDL信號線兩側； 所述RDL金屬接地在所述微帶線上方設有開口避讓；所述開口避讓的尺寸可調； 所述接地UBM呈類同軸分布在所述信號UBM四周； 所述焊球包括：信號焊球和接地焊球； 所述接地焊球呈類同軸分布在所述信號焊球四周。

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