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龍圖騰網(wǎng)獲悉愛思開海力士有限公司申請的專利存儲(chǔ)單元和具有該存儲(chǔ)單元的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114975616B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210144675.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/27；該發(fā)明授權(quán)存儲(chǔ)單元和具有該存儲(chǔ)單元的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件是由金承煥設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-02-17向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本存儲(chǔ)單元和具有該存儲(chǔ)單元的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種高度集成的存儲(chǔ)單元和包括該存儲(chǔ)單元的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。根據(jù)本發(fā)明，一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括：存儲(chǔ)單元陣列，其中多個(gè)存儲(chǔ)單元垂直層疊至襯底，其中每個(gè)存儲(chǔ)單元包括：位線，其垂直于襯底定向；電容器，其與位線橫向間隔開；有源層，其橫向定向于位線與電容器之間；以及字線和背柵，所述字線和背柵彼此面對，所述有源層插設(shè)在所述字線與所述背柵之間，以及其中，字線的邊緣和背柵的邊緣沿著存儲(chǔ)單元的層疊方向具有階梯形狀。

本發(fā)明授權(quán)存儲(chǔ)單元和具有該存儲(chǔ)單元的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其包括： 存儲(chǔ)單元陣列，其中多個(gè)存儲(chǔ)單元垂直層疊于襯底上， 其中，每個(gè)所述存儲(chǔ)單元包括： 位線，其相對于所述襯底垂直地定向； 電容器，其與所述位線橫向間隔開； 有源層，其橫向地定向于所述位線與所述電容器之間；以及 字線和背柵，所述有源層插設(shè)在所述字線與所述背柵之間，所述字線和所述背柵耦接至所述有源層； 其中，所述字線的邊緣與所述背柵的邊緣沿著所述存儲(chǔ)單元的層疊方向形成階梯形狀；以及 其中，所述有源層包括： 第一源極漏極區(qū)，其連接至所述位線； 第二源極漏極區(qū)，其連接至所述電容器；以及 溝道，其在所述第一源極漏極區(qū)與所述第二源極漏極區(qū)之間， 其中，所述溝道比所述第二源極漏極區(qū)要薄。

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