京東方科技集團股份有限公司梁軒獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉京東方科技集團股份有限公司申請的專利一種發光器件、顯示面板及電子設備獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114551668B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210179597.5,技術領域涉及:H10H20/813;該發明授權一種發光器件、顯示面板及電子設備是由梁軒;王飛;王明星;王燦;董學;楊明坤;齊琪設計研發完成,并于2022-02-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種發光器件、顯示面板及電子設備在說明書摘要公布了:本公開實施例提供了一種發光器件、顯示面板及電子設備,發光器件至少包括:第一外延結構、第二外延結構,第一外延結構和第二外延結構能夠發出不同波段的光;第一外延結構和第二外延結構沿第一方向依次設置,每個外延結構均包括:N型半導體層、P型半導體層、多量子阱層;第一外延結構和第二外延結構之間設置有導電鍵合層,包括:第一導電材料層和第二導電材料層,第一導電材料層還與第一外延結構的N型半導體層連接,第二導電材料層還與第二外延結構的P型半導體層連接;第二導電材料層的表面面積小于或等于第一導電材料層的表面面積;第二導電材料層的表面面積與第二外延結構的P型半導體層的表面面積之比的取值范圍為0.2?1。
本發明授權一種發光器件、顯示面板及電子設備在權利要求書中公布了:1.一種發光器件,其特征在于,至少包括: 第一外延結構、第二外延結構,所述第一外延結構和所述第二外延結構能夠發出不同波段的光; 所述第一外延結構和所述第二外延結構沿第一方向依次設置,每個外延結構均包括:N型半導體層、P型半導體層,以及位于所述N型半導體層和所述P型半導體層之間的多量子阱層; 所述第一外延結構和所述第二外延結構之間設置有導電鍵合層,所述導電鍵合層包括:第一導電材料層和第二導電材料層,所述第一導電材料層還與所述第一外延結構的N型半導體層連接,所述第二導電材料層還與所述第二外延結構的P型半導體層連接; 其中,所述第二導電材料層的表面面積小于或等于所述第一導電材料層的表面面積,所述第一導電材料層被配置為與所述第一外延結構的N型半導體層形成歐姆接觸,所述第二導電材料層被配置為與所述第二外延結構的P型半導體層形成歐姆接觸; 所述第一導電材料層的表面面積與所述第一外延結構的N型半導體層的表面面積相同,所述第二導電材料層的表面面積與所述第二外延結構的P型半導體層的表面面積之比的取值范圍為0.2-1。
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