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龍圖騰網獲悉中國電子科技集團公司第五十五研究所申請的專利一種懸浮柵功率MOSFET及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114709267B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210268560.X，技術領域涉及：H10D30/68；該發明授權一種懸浮柵功率MOSFET及其制造方法是由張騰;張國斌;劉濤;柏松設計研發完成，并于2022-03-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種懸浮柵功率MOSFET及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種懸浮柵結構功率MOSFET及其制造方法，為原胞周期性排列形成的多原胞結構，原胞包括：第一導電類型外延層、漏極、第二導電類型阱區域、第一導電類型源區域、第二導電類型重摻雜區域、源電極、位于第二導電類型阱區域上方、覆蓋部分第一導電類型源區域的絕緣介質層、懸浮的柵電極，柵電極設置在絕緣介質層上、位于柵電極之上的鈍化保護層，柵電極上開有至少一個窗孔，窗孔中無柵電極和絕緣介質層留存。本發明與傳統功率MOSFET結構相比，利用犧牲層代替傳統柵氧，并通過在柵極上打開窗孔的方式將犧牲層去除，使柵極懸空，采用非固態柵介質層。

本發明授權一種懸浮柵功率MOSFET及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種懸浮柵結構功率MOSFET，其特征在于，所述MOSFET為原胞周期性排列形成的多原胞結構，所述原胞包括： 第一導電類型外延層； 位于所述第一導電類型外延層底部的漏極； 與所述第一導電類型外延層相鄰并分布于所述第一導電類型外延層兩側的第二導電類型阱區域，兩側的第二導電類型阱區域中間為JFET區域； 位于所述第二導電類型阱區域中，靠近JFET區域的第一導電類型源區域； 位于所述第二導電類型阱區域中，遠離JFET區域的第二導電類型重摻雜區域； 位于所述第一導電類型源區域及所述第二導電類型重摻雜區域之上的源電極； 位于所述第二導電類型阱區域上方，覆蓋部分所述第一導電類型源區域的絕緣介質層，所述絕緣介質層未完全覆蓋所述第二導電類型阱區域靠近JFET區的邊界； 位于所述JFET區域和部分第一導電類型源區域上方的懸浮的柵電極，所述柵電極設置在所述絕緣介質層上，所述柵電極與所述第一導電類型外延層及第二導電類型阱區域之間的部分為真空或非固態材料； 位于所述柵電極之上的鈍化保護層； 所述柵電極上開有至少一個窗孔，所述窗孔中無柵電極和絕緣介質層留存，所述窗孔未超過JFET區域中部的正上方。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國電子科技集團公司第五十五研究所，其通訊地址為：210016 江蘇省南京市秦淮區中山東路524號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。