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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海積塔半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)的專利結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114709268B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210302891.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/83；該發(fā)明授權(quán)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法是由張煒虎;王珊珊;仇峰設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-03-25向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法，一種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括：第一導(dǎo)電類型的基底；至少兩層阱區(qū)結(jié)構(gòu)，層疊設(shè)置于基底；每一層阱區(qū)結(jié)構(gòu)包括第二導(dǎo)電類型的第一阱區(qū)，以及位于第一阱區(qū)的相對(duì)兩側(cè)的兩個(gè)第二阱區(qū)；其中，第二阱區(qū)的導(dǎo)電類型與第二導(dǎo)電類型相反，且與第一導(dǎo)電類型相同；漏極和源極，分別形成于最上一層阱區(qū)結(jié)構(gòu)的第一阱區(qū)的相對(duì)兩側(cè)；以及柵極，形成于最上一層阱區(qū)結(jié)構(gòu)的兩個(gè)第二阱區(qū)；其中，相鄰的兩層阱區(qū)結(jié)構(gòu)中，相鄰的兩個(gè)第一阱區(qū)彼此接觸，同一側(cè)的兩個(gè)第二阱區(qū)彼此相連。在獲得同樣的導(dǎo)電能力的情況下，使用本申請(qǐng)的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)更能節(jié)約設(shè)計(jì)尺寸。

本發(fā)明授權(quán)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括： 第一導(dǎo)電類型的基底110； 至少兩層阱區(qū)結(jié)構(gòu)120，沿所述基底110的厚度方向，所述至少兩層阱區(qū)結(jié)構(gòu)120層疊設(shè)置于所述基底110；每一層所述阱區(qū)結(jié)構(gòu)120包括第二導(dǎo)電類型的第一阱區(qū)121，以及位于所述第一阱區(qū)121沿第一方向的相對(duì)兩側(cè)的兩個(gè)第二阱區(qū)122；其中，所述第二阱區(qū)122的導(dǎo)電類型與所述第二導(dǎo)電類型相反，且與所述第一導(dǎo)電類型相同； 漏極130和源極140，分別形成于最上一層所述阱區(qū)結(jié)構(gòu)120的所述第一阱區(qū)121的區(qū)域內(nèi)沿第二方向的相對(duì)兩側(cè)，所述第一方向和所述第二方向相交，且均與所述基底110的厚度方向相交；以及 柵極150，形成于最上一層所述阱區(qū)結(jié)構(gòu)120的兩個(gè)所述第二阱區(qū)122； 其中，相鄰的兩層所述阱區(qū)結(jié)構(gòu)120中，相鄰的兩個(gè)所述第一阱區(qū)121彼此接觸，同一側(cè)的兩個(gè)所述第二阱區(qū)122彼此相連。

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