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龍圖騰網(wǎng)獲悉華東師范大學(xué)申請(qǐng)的專利一種具有銦保護(hù)層的二硫化鉿晶體管及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114899240B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210517583.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/67；該發(fā)明授權(quán)一種具有銦保護(hù)層的二硫化鉿晶體管及其制備方法是由張金中;王強(qiáng)飛;姜睿琪;高照潭;胡志高;褚君浩設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-05-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種具有銦保護(hù)層的二硫化鉿晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種具有銦保護(hù)層的二硫化鉿晶體管及其制備方法，所述晶體管以銦作為保護(hù)層，二硫化鉿作為溝道。首先，通過機(jī)械剝離法使用3M思高膠帶從二硫化鉿塊材上剝離出二硫化鉿層狀材料；然后，將附著有二硫化鉿材料的膠帶粘到黏性凝膠膜上，通過光學(xué)顯微鏡觀察并選擇厚度合適、質(zhì)地均勻的二維層狀材料；接著，將其轉(zhuǎn)移到硅二氧化硅襯底上；再用熱蒸發(fā)技術(shù)在二維材料表面蒸鍍一層銦作為保護(hù)層，利用掩膜版蒸鍍金屬電極，由此制備所述的晶體管。本發(fā)明所用材料安全環(huán)保，成本低廉，不僅得到了光電性能好的微電子器件，還保護(hù)了溝道材料，達(dá)到了延長(zhǎng)器件壽命的目的。

本發(fā)明授權(quán)一種具有銦保護(hù)層的二硫化鉿晶體管及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種具有銦保護(hù)層的二硫化鉿晶體管的制備方法，其特征在于，該方法包括以下具體步驟： 步驟1：制備二硫化鉿溝道層 A1：二硫化鉿溝道層的制備 首先選擇7-8個(gè)干凈的載玻片，然后將機(jī)械剝離專用的黏性凝膠膜粘貼在載玻片一角；利用3M思高膠帶從二硫化鉿塊材上剝離出層狀的二硫化鉿材料，通過將粘有二硫化鉿材料的3M思高膠帶多次對(duì)疊再展開的過程，對(duì)二硫化鉿材料進(jìn)行多次剝離，將多次剝離后的二硫化鉿材料粘在載玻片上的黏性凝膠膜，用手輕壓數(shù)下后將3M思高膠帶和黏性凝膠膜分離；把光學(xué)顯微鏡打開并調(diào)整感光度為ISO100，將粘有二硫化鉿材料的黏性凝膠膜放在光學(xué)顯微鏡下進(jìn)行觀察；選取其中藍(lán)色半透明，質(zhì)地均勻，且長(zhǎng)度為30-100μm的二硫化鉿材料作為目標(biāo)材料，目標(biāo)材料所在的載玻片是目標(biāo)載玻片，用小刀切去目標(biāo)載玻片上多余的黏性凝膠膜后作為備用； 步驟2：二硫化鉿薄膜材料的轉(zhuǎn)移 B1：清洗襯底 選擇表面有285-300nm厚的二氧化硅的P型重?fù)焦枰r底，將襯底依次放在丙酮、異丙醇和去離子水中，超聲清洗15-30min，然后用氮?dú)鈽寣⒁r底表面的水漬吹凈后放在盒中備用； B2：轉(zhuǎn)移二硫化鉿薄膜材料 使用二維材料轉(zhuǎn)移系統(tǒng)進(jìn)行轉(zhuǎn)移；首先打開氣瓶向轉(zhuǎn)移臺(tái)的氣浮中充入氮?dú)猓淮蜷_轉(zhuǎn)移臺(tái)上顯微鏡的燈光和顯微鏡屏幕，用水平儀檢查轉(zhuǎn)移臺(tái)微操作的X軸和Y軸是否與載物臺(tái)處于水平狀態(tài)，若不水平則調(diào)至水平；將步驟B1中清洗干凈的襯底放在載物臺(tái)上，通過光學(xué)顯微鏡聚焦在清洗好的襯底上，選擇襯底中間干凈的地方，然后打開機(jī)械泵，通過系統(tǒng)中的吸附裝置將襯底固定，以防在轉(zhuǎn)移過程中襯底移動(dòng)；再將步驟A1中挑選好的目標(biāo)載玻片正放，并將目標(biāo)載玻片上未粘黏性凝膠膜的一端固定在載物臺(tái)上；將黏性凝膠膜移到視野中，聚焦后在低倍鏡下尋找目標(biāo)材料；找到后通過調(diào)整Z軸旋鈕使目標(biāo)載玻片緩慢下移；并同時(shí)調(diào)整焦距；當(dāng)屏幕中看到有波紋時(shí)放大倍鏡且緩緩下移Z軸，使得黏性凝膠膜和襯底完全重合，重合后緩慢上移Z軸旋鈕；直至黏性凝膠膜和襯底完全分離；如果襯底上有目標(biāo)材料則轉(zhuǎn)移成功，否則轉(zhuǎn)移失敗，需要再次轉(zhuǎn)移，直到成功； 步驟3：銦保護(hù)層的制備 C1：蒸鍍銦膜 將步驟B2中成功轉(zhuǎn)移目標(biāo)材料的襯底固定在熱蒸發(fā)的樣品板上，在熱蒸發(fā)腔室的鎢舟中放2-3顆銦顆粒，依次打開機(jī)械泵和分子泵將腔體抽真空且加電流升溫至銦的熔點(diǎn)后，蒸鍍5-10nm厚的銦膜； 步驟4：晶體管源、漏電極的制備 D1：固定掩模版 使用二維材料轉(zhuǎn)移系統(tǒng)進(jìn)行操作；首先打開氣瓶向轉(zhuǎn)移臺(tái)的氣浮中充入氮?dú)猓淮蜷_轉(zhuǎn)移臺(tái)的燈光和顯微鏡屏幕，用水平儀檢查轉(zhuǎn)移臺(tái)微操作的X軸和Y軸是否與載物臺(tái)處于水平狀態(tài)，若不水平則調(diào)至水平；將步驟C1中蒸鍍好銦膜的襯底放在載物臺(tái)上，然后打開機(jī)械泵，通過系統(tǒng)中的吸附裝置使其固定在載物臺(tái)上，將光學(xué)顯微鏡聚焦在襯底上找到鍍有銦膜的目標(biāo)材料，再將掩膜版反放輕粘在載玻片上，將載玻片固定在載物臺(tái)的一角，并聚焦到掩膜版表面調(diào)整到對(duì)準(zhǔn)所述目標(biāo)材料的方位后，通過調(diào)整Z軸旋鈕使掩膜版緩慢下降，直到掩膜版完全覆蓋在所述目標(biāo)材料上，用手按住掩膜版緩慢調(diào)整Z軸旋鈕上抬使掩膜版和載玻片分離； D2：蒸鍍晶體管源、漏電極 將步驟D1中固定有掩模版的襯底固定到熱蒸發(fā)鍍膜儀頂部的樣品板上，將2-3顆金顆粒放在腔室的鎢舟里，接著打開機(jī)械泵和分子泵將腔室抽至真空態(tài)；蒸鍍厚度為35-60nm的源、漏金屬電極；至此，制得所述具有銦保護(hù)層的二硫化鉿晶體管。

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