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龍圖騰網獲悉西安微電子技術研究所申請的專利一種提高快恢復二極管抗靜電能力的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114927420B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210536682.2，技術領域涉及：H10D8/01；該發明授權一種提高快恢復二極管抗靜電能力的方法是由王健;李照;侯斌;楊曉文;黃山圃;胡長青;王英民設計研發完成，并于2022-05-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種提高快恢復二極管抗靜電能力的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種提高快恢復二極管抗靜電能力的方法，屬于半導體制作工藝技術領域，旨在解決現有技術中摻鉑后因補償摻雜作用器件有效濃度會有所降低，導致基區導通電阻升高，不利于靜電電流泄放，造成器件的靜電能力下降的缺陷性技術問題。本發明在主結區有抗靜電孔，抗靜電孔可以增加PN結周長，提供靜電泄放通道。接觸孔為實現金屬連線與PN結互連，鉑摻雜區實現少子壽命控制，提高器件開關速度。陽極形成后，后續通過鋁絲將其與封裝外殼連接，最終提高快恢復二極管的抗靜電能力。其次，通過設計主結區面積有利于器件散熱和提高可靠性；然后，增加8個一定尺寸的抗靜電孔，有效PN結增加約1倍，有效提升靜電泄放能力。

本發明授權一種提高快恢復二極管抗靜電能力的方法在權利要求書中公布了：1.一種提高快恢復二極管抗靜電能力的方法，其特征在于，包括以下步驟： S1、在N型硅襯底上形成N型外延層，對硅N型外延層的介質層（3）進行光刻，光刻后的介質層（3）通過腐蝕或刻蝕方法形成主結區（2）和終端區（1）；其中，在所述主結區（2）內形成8個離散的孔狀區域，孔狀區域尺寸453μm×453μm，均勻分布于主結區（2）內； S2、在所述主結區（2）和所述終端區（1）內進行P型離子注入和高溫退火，形成P型摻雜區（4）；孔狀區域的邊緣因P型摻雜區（4）與N型外延層的界面形成額外PN結，構成抗靜電孔； S3、形成接觸孔區（6），在N型硅襯底的背面形成鉑層后，鉑層在高溫下退火形成鉑摻雜區（7）； S4、腐蝕掉N型硅襯底背面多余的鉑層，在N型硅襯底的正面沉積或蒸發金屬，并在光刻、腐蝕后通過退火形成陽極（8）；在N型硅襯底的背面進行淀積形成陰極（9），得到具有抗靜電能力的快恢復二極管； 其中，P型離子注入的雜質為硼，注入能量在50keV-90keV，注入劑量在每平方厘米1E14個-1E16個。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安微電子技術研究所，其通訊地址為：710000 陜西省西安市雁塔區太白南路198號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。