隆基樂葉光伏科技(西咸新區)有限公司吳兆獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉隆基樂葉光伏科技(西咸新區)有限公司申請的專利一種太陽能電池及其制備方法、光伏組件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115188844B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210738973.X，技術領域涉及：H10F77/14；該發明授權一種太陽能電池及其制備方法、光伏組件是由吳兆;解俊杰設計研發完成，并于2022-06-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種太陽能電池及其制備方法、光伏組件在說明書摘要公布了：本發明提供了一種太陽能電池及其制備方法、光伏組件，涉及光伏技術領域。太陽能電池包括：硅基底，以及設置在硅基底向光面的低吸收系數層；低吸收系數層與所述硅基底的向光面具有相同的導電類型；在小于或等于400nm的波段內，低吸收系數層的吸收系數，小于硅基底的吸收系數；低吸收系數層的厚度x為15?200nm；低吸收系數層與硅基底直接接觸。低吸收系數層與硅基底的向光面具有相同的導電類型，利于少數載流子的傳輸。低吸收系數層會將小于或等于400nm的波段內的一部分光吸收，硅基底吸收的小于或等于400nm的波段內的光減少了，可以減少硅基底向光面中非平衡載流子的濃度。低吸收系數層充分吸收小于或等于400nm的波段內的光。
本發明授權一種太陽能電池及其制備方法、光伏組件在權利要求書中公布了：1.一種太陽能電池，其特征在于，包括：硅基底，以及設置在所述硅基底向光面的低吸收系數層； 所述低吸收系數層與所述硅基底的向光面具有相同的導電類型； 在小于或等于400nm的波段內，所述低吸收系數層的吸收系數，小于所述硅基底的吸收系數； 所述低吸收系數層的厚度x為15-200nm；所述厚度所在的方向與所述硅基底和所述低吸收系數層的設置方向平行； 所述低吸收系數層與所述硅基底直接接觸；或，所述太陽能電池還包括：位于所述硅基底和所述低吸收系數層之間的緩沖層；所述緩沖層的材料選自：氧化硅、硫化鋅、碳化硅、氮化鋁、氮化硅中的至少一種； 所述低吸收系數層的厚度；其中，為所述低吸收系數層在200-400nm波段的最小消光系數。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人隆基樂葉光伏科技(西咸新區)有限公司，其通訊地址為：712000 陜西省西安市西咸新區涇河新城涇干二街215號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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