合肥工業大學邱龍臻獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉合肥工業大學申請的專利一種基于雙模調制突觸晶體管器件的圖像保密性成像方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115117248B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210782694.3，技術領域涉及：H10K30/65；該發明授權一種基于雙模調制突觸晶體管器件的圖像保密性成像方法是由邱龍臻;王恒;姜龍龍;王曉鴻;吳孝成設計研發完成，并于2022-06-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于雙模調制突觸晶體管器件的圖像保密性成像方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于雙模調制突觸晶體管器件的圖像保密性成像方法，是通過具有光活性層的突觸晶體管，選用兩種波長的光作為雙模刺激，利用突觸晶體管在雙模刺激下的類突觸行為響應，設計陣列實現圖像的保密性成像。本發明的突觸晶體管器件的光響應性能和電學性能優異，且制作方法簡單、成本低，具有很好的應用前景。
本發明授權一種基于雙模調制突觸晶體管器件的圖像保密性成像方法在權利要求書中公布了：1.一種基于雙模調制突觸晶體管器件的圖像保密性成像方法，其特征在于：所述突觸晶體管器件是在作為柵電極的基底上設置有絕緣介電層，在所述絕緣介電層上設置有修飾層，在所述修飾層上呈陣列排布有若干光敏性電荷傳輸單元，每個光敏性電荷傳輸單元上設置有源電極和漏電極；所述光敏性電荷傳輸單元所采用的光敏材料P3HT80-b-PPI30對兩種波長的光具有類突觸行為； 先在無光刺激下對光敏性電荷傳輸單元施加電壓，所達到的電流為初始暗電流；然后對光敏性電荷傳輸單元施加光刺激，所達到的電流為興奮性突觸后電流EPSC，其與初始暗電流的差值記為ΔEPSC；通過調整兩種波長光的強度，使光敏性電荷傳輸單元在兩種波長光刺激下的ΔEPSC相等；撤掉光刺激后，光敏性電荷傳輸單元的電流值會逐漸衰變； 對陣列中各光敏性電荷傳輸單元分別施加兩種波長光中的一種，利用施加兩種波長光刺激時相同的ΔEPSC實現原始圖像的保密；然后利用兩種波長光刺激后衰變速度的差異，通過采集衰變過程中各光敏性電荷傳輸單元的電流，實現原始圖像的解密。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥工業大學，其通訊地址為：230009 安徽省合肥市包河區屯溪路193號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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