上海華虹宏力半導體制造有限公司湯志林獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利一種分柵快閃存儲器的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115411046B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211064569.5，技術領域涉及：H10B41/30；該發明授權一種分柵快閃存儲器的制備方法是由湯志林;梁海林;付永琴;王卉;曹子貴設計研發完成，并于2022-08-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種分柵快閃存儲器的制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種分柵快閃存儲器的制備方法，包括：提供襯底，在襯底上形成兩個對稱設置的浮柵層及位于兩個浮柵層之間的源線層；在浮柵層外側的襯底上依次形成第一氧化層及字線材料層，字線材料層覆蓋第一氧化層；除去部分字線材料層，剩余的字線材料層構成字線層，第一氧化層未被字線層覆蓋的部分構成阻擋層，第一氧化層被字線層覆蓋的部分構成隧穿氧化層；采用濕法刻蝕工藝減薄所述阻擋層的至少部分厚度，以減小側向侵蝕在阻擋層內形成的缺口，進而有效減少阻擋層內的缺口對介質層及插塞的不良影響，避免所述缺口導致的插塞填充不良甚至丟失，提高所述分柵快閃存儲器的良率。
本發明授權一種分柵快閃存儲器的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，包括： 提供襯底，在所述襯底上形成兩個對稱設置的浮柵層及位于兩個所述浮柵層之間的源線層； 在所述浮柵層外側的所述襯底上依次形成第一氧化層及字線材料層，所述字線材料層覆蓋所述第一氧化層； 所述襯底包括器件區及邏輯區，所述浮柵層及所述源線層位于所述器件區上，所述第一氧化層及所述字線材料層覆蓋所述襯底的器件區及邏輯區； 除去部分所述字線材料層，剩余的所述字線材料層構成字線層，所述第一氧化層未被所述字線層覆蓋的部分構成阻擋層，所述第一氧化層被所述字線層覆蓋的部分構成隧穿氧化層；其中，除去部分所述字線材料層構成所述字線層時，同時除去所述字線層外的所述第一氧化層的部分厚度，使所述阻擋層的厚度小于所述隧穿氧化層的厚度，所述阻擋層的材料為氧化硅； 采用濕法刻蝕工藝減薄所述阻擋層的至少部分厚度； 形成第一側墻，所述第一側墻覆蓋所述字線層及所述隧穿氧化層的側壁。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華虹宏力半導體制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區祖沖之路1399號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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