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龍圖騰網獲悉燕山大學申請的專利一種模塊化多級經顱磁刺激發生器的拓撲結構及控制方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115498984B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211197803.1，技術領域涉及：H03K3/57；該發明授權一種模塊化多級經顱磁刺激發生器的拓撲結構及控制方法是由李昕;朱海;孫孝峰設計研發完成，并于2022-09-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種模塊化多級經顱磁刺激發生器的拓撲結構及控制方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種模塊化多級經顱磁刺激發生器的拓撲結構及控制方法，屬于經顱磁刺激脈沖發生器領域，包括模塊化級聯全橋結構、子模塊并聯結構、電容充電結構和刺激線圈結構；模塊化級聯全橋結構包括N個子模塊，各子模塊全橋橋臂中點相互串聯，兩側橋臂中點連接刺激線圈結構；子模塊由一個儲能電容和四個全橋開關結構組成；子模塊并聯結構包括N?1個并聯結構，每個并聯結構分為全橋上端并聯結構和全橋下端并聯結構；電容充電結構包括由充電電感、充電控制開關管、充電二極管和充電電源組成的升壓充電結構以及電感續流結構。本發明能夠在刺激線圈中生成可調的不同脈沖電流，進而在大腦生成參數可調控的感應電場，進而實現多種不同的磁刺激效果。

本發明授權一種模塊化多級經顱磁刺激發生器的拓撲結構及控制方法在權利要求書中公布了：1.一種模塊化多級經顱磁刺激發生器的拓撲結構，其特征在于：包括模塊化級聯全橋結構、子模塊并聯結構、電容充電結構和刺激線圈結構；所述模塊化級聯全橋結構包括N個子模塊，各子模塊全橋橋臂中點相互串聯，兩側橋臂中點連接刺激線圈結構；所述子模塊為全橋與電容結構，由一個儲能電容和四個全橋開關結構組成；所述子模塊并聯結構包括N-1個并聯結構，每個并聯結構分為全橋上端并聯結構和全橋下端并聯結構；所述電容充電結構包括升壓充電結構和電感續流結構；通過控制多級子模塊放電方式，能夠產生參數可控的離散多電平電壓脈沖，在刺激線圈中生成多種電流波形，進而生成脈沖寬度、幅值、各相時間參數可控的感應電場，進而實現多種不同的磁刺激效果； 所述模塊化級聯全橋結構包括N個子模塊：第一子模塊SM1、第二子模塊SM2、…、第N子模塊SMN；其中第一子模塊SM1右橋臂中點與第二子模塊SM2左橋臂中點相連接，第二子模塊SM2右橋臂中點與第三子模塊SM3左橋臂中點相連接，…，第N-1子模塊SMN-1右橋臂中點與第N子模塊SMN左橋臂中點相連接，N個子模塊中相鄰兩橋臂中點相互連接，最兩側橋臂即N個子模塊級聯時第一子模塊SM1左橋臂中點以及第N子模塊SMN右橋臂中點連接刺激線圈結構； 所述全橋上端并聯結構由一個上端并聯結構開關管Sp、一個上端并聯結構二極管Dp以及一個上端并聯結構電感Lp組成；所述全橋下端并聯結構由一個下端并聯結構開關管Sn和一個下端并聯結構二極管Dn組成，其中上端并聯結構開關管Sp源極連接上端并聯結構二極管Dp陽極，上端并聯結構二極管Dp陰極連接上端并聯結構電感Lp，下端并聯結構開關管Sn源極連接下端并聯結構二極管Dn陽極；全橋上端并聯結構兩端分別連接兩個相鄰的子模塊全橋上端，全橋下端并聯結構兩端分別連接兩個相鄰的子模塊全橋下端； 所述升壓充電結構由充電電感Lc、第一充電控制開關管Sc1、第二充電控制開關管Sc2、充電二極管Dc和充電電源U組成；其中充電電感Lc一端連接充電電源U正極，另一端連接第一充電控制開關管Sc1漏極和第二充電控制開關管Sc2漏極，第一充電控制開關管Sc1源極連接電源地以及相鄰子模塊下端；第一充電控制開關管Sc1漏極與第二充電控制開關管Sc2漏極連接；第二充電控制開關管Sc2源極連接充電二極管Dc陽極；充電二極管Dc連接相鄰子模塊上端； 所述電感續流結構由續流控制晶閘管SCR1和充電電感Lc組成；其中續流控制晶閘管SCR1陽極連接第二充電控制開關管Sc2漏極與充電電感Lc右端，續流控制晶閘管SCR1陰極連接充電電源U正極與充電電感左端。

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