長鑫存儲技術有限公司郭帥獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利三維半導體結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118335720B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310007594.8，技術領域涉及：H01L23/544；該發明授權三維半導體結構及其制備方法是由郭帥設計研發完成，并于2023-01-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本三維半導體結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種三維半導體結構及其制備方法，涉及半導體技術領域，用于解決存儲電容的薄膜厚度均勻性的表征方法難度大的技術問題，該三維半導體結構包括襯底、堆疊結構、接觸墊和測試結構，堆疊結構位于襯底上，接觸墊位于堆疊結構背離襯底一側的表面，且接觸墊與電容結構中的第一電極陣列電性連接；測試結構位于堆疊結構背離襯底一側的表面上，測試結構包括第一測試焊盤和多個第二測試焊盤，第一測試焊盤與接觸墊電連接，多個第二測試焊盤分別與電容結構中與其對應的第二電極電連接，測試結構被配置為測試電容結構的電壓。本申請能夠降低表征電容薄膜厚度均勻性的難度，提高測試精度，同時還可以仿真模擬測試多個并聯電容的性能，簡化制備工藝。
本發明授權三維半導體結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種三維半導體結構，其特征在于，包括： 襯底； 堆疊結構，位于所述襯底上，所述堆疊結構中具有電容結構，所述電容結構包括第一電極陣列和多個第二電極，所述第一電極陣列包括呈陣列排布的多個第一電極，各第一電極和第二電極之間設置有介質層，其中，各第一電極沿第一方向延伸；多個所述第二電極沿第一方向間隔層疊設置，任意相鄰兩個所述第二電極之間設置有支撐層；所述第一方向為所述襯底的厚度方向； 接觸墊，位于所述堆疊結構背離所述襯底一側的表面，且所述接觸墊與所述第一電極陣列電性連接； 測試結構，位于所述堆疊結構背離所述襯底一側的表面上，所述測試結構包括第一測試焊盤和多個第二測試焊盤，所述第一測試焊盤與所述接觸墊電連接，多個所述第二測試焊盤分別與其對應的所述第二電極電連接，所述測試結構被配置為測試所述電容結構的電壓。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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