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龍圖騰網獲悉珠海晶通科技有限公司申請的專利一種提高單wafer晶圓規劃多種不同block的制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116314181B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310257182.X，技術領域涉及：H10D89/10；該發明授權一種提高單wafer晶圓規劃多種不同block的制作方法是由沈志春;陳勇堅;夏玥;張清貴;劉心舸;吳欣延設計研發完成，并于2023-03-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種提高單wafer晶圓規劃多種不同block的制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開的一種提高單wafer晶圓規劃多種不同block的制作方法，包括以下步驟：步驟S1，規劃多個block；步驟S2，設置多個不同的修正值；步驟S3，確定修正值的連線方式，在物理版圖實現的過程中，把布線層引到金屬布線頂層；步驟S4，樣片測試，分別對不同block進行測試，測試完成后挑選出最符合設計目標的block；步驟S5，整個晶圓只需在原來的數據基礎上，改動頂層金屬mask光罩就可以進行芯片大規模的量產，這樣制作方法不僅節省了大量的寶貴時間，有效提高單wafer晶圓成功率和縮短芯片設計周期、降低成本，而且也避免了產能緊張的問題。

本發明授權一種提高單wafer晶圓規劃多種不同block的制作方法在權利要求書中公布了：1.一種提高單wafer晶圓規劃多種不同block的制作方法，用于在單個wafer晶圓上規劃出多個不同block，其特征在于，該制作方法包括以下步驟： 步驟S1，規劃多個block 在單個wafer晶圓上規劃出多個不同block，所述不同的block大小形狀相同而僅僅只是最高n層金屬metal的連線不同，n為大于等于1的正整數，如果n為1即不同的block只有最高一層金屬metal的連線不同，n為2即不同的block有最高兩層金屬metal連線不同；依此類推，n為m即不同的block有最高m層金屬metal連線不同； 步驟S2，設置多個不同的修正值 當n＝1時，不同的block只有最高層金屬metal連線不同，當n＝2時，不同的block最高2層金屬metal連線不同，依此類推，n＝m時，不同的block最高m層金屬metal連線不同； 然后，運用工藝金屬線光罩選擇方式得到不同block所對應相關參數不同的修正值； 具體為，根據電路的特點，設計出多個帶有可供修正的重要參數，每個參數是0或者是1，然后根據不同的參數，按照BCD碼方式進行編碼，得到不同block所對應相關參數不同的修正值； 步驟S3，確定修正值的連線方式 在物理版圖實現的過程中，把布線層引到金屬布線頂層，在參數編碼后，修正值對應為1的通過版圖物理連線連接到電源線VDD或者高電平鉗位單元，修正值對應為0的通過物理版圖連線、連接到頂層地線VSS或者低電平鉗位單元，形成一個按照工藝金屬線光罩選擇方式的設計； 步驟S4，樣片測試 芯片生產完成后，進行樣片測試，分別對不同block進行測試，測試完成后挑選出最符合設計目標的block，在不額外增加流片的情況下，在原來的數據里面直接改動最高層金屬mask光罩，即把其他block的修正值改成和最符合設計目標的block的修正值一樣； 實現在版圖數據上，修正值1改成0的，即把原來最高層金屬連接到電源線VDD或者高電平鉗位單元改成連接到地線VSS或者低電平鉗位單元上；修正值0改成1的，即把原來最高層金屬連接到地線VSS或者低電平鉗位單元改成連接到電源線VDD或者高電平鉗位單元上； 步驟S5，整個晶圓只需在原來的數據基礎上，改動最高金屬層mask光罩就可以進行芯片大規模的量產。

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