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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所申請的專利改善延伸波長InGaAs晶圓翹曲的緩沖層結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116207176B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310252923.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F10/163；該發(fā)明授權(quán)改善延伸波長InGaAs晶圓翹曲的緩沖層結(jié)構(gòu)及其制備方法是由劉博文;顧溢;李淘;邵秀梅;李雪;龔海梅設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-03-16向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本改善延伸波長InGaAs晶圓翹曲的緩沖層結(jié)構(gòu)及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種改善延伸波長InGaAs晶圓翹曲的緩沖層結(jié)構(gòu)及其制備方法，所述緩沖層結(jié)構(gòu)自下而上依次包含晶格匹配緩沖層、組分線性遞增緩沖層、組分線性遞減緩沖層、固定組分緩沖層。所述晶格匹配緩沖層材料為In0.52Al0.48As或InP，所述組分線性遞增緩沖層的材料為InxAl1?xAs或InAsyP1?y，其中自所述組分線性遞增緩沖層下端至上端，x由0.52線性遞增至a，0.85≤a≤1，或y由0線性遞增至b，0.7≤b≤1，所述組分線性遞減緩沖層的下端的所述組分線性遞增緩沖層的上端晶格匹配，而后組分線性遞減至與延伸波長InGaAs晶格匹配，所述固定組分緩沖層與延伸波長InGaAs層晶格匹配。本發(fā)明利用緩沖層內(nèi)部應(yīng)力相互作用來改善外延片晶圓翹曲，從而提高焦平面探測器制備規(guī)模和成品率。

本發(fā)明授權(quán)改善延伸波長InGaAs晶圓翹曲的緩沖層結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種改善延伸波長InGaAs晶圓翹曲的緩沖層結(jié)構(gòu)，包括晶格匹配緩沖層1，組分線性遞增緩沖層2，組分線性遞減緩沖層3和固定組分緩沖層4，其特征在于： 所述的緩沖層結(jié)構(gòu)由下至上依次為晶格匹配緩沖層1，組分線性遞增緩沖層2，組分線性遞減緩沖層3和固定組分緩沖層4； 所述組分線性遞增緩沖層2的材料為InxAl1-xAs或InAsyP1-y，自所述組分線性遞增緩沖層2下端至上端，x由0.52線性遞增至a，0.85≤a≤1，或y由0線性遞增至b，0.7≤b≤1，InaAl1-aAs和InAsbP1-b的晶格常數(shù)大于延伸波長InGaAs層的晶格常數(shù)； 所述組分線性遞減緩沖層3的材料為InwAl1-wAs或InAszP1-z，自所述組分線性遞減緩沖層3的下端至上端，w由a線性遞減至c，0.52＜c＜0.85＜a，或z由b線性遞減至d，0＜d＜0.7＜b，IncAl1-cAs和InAsdP1-d與延伸波長InGaAs層晶格匹配。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所，其通訊地址為：200083 上海市虹口區(qū)玉田路500號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。