買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉南京大學申請的專利一種具有巨大拓撲霍爾效應的碲化鉻薄膜的外延生長方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116641132B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310431729.3，技術領域涉及：C30B25/00；該發明授權一種具有巨大拓撲霍爾效應的碲化鉻薄膜的外延生長方法是由王學鋒;陳業全;宋安柯;陳中強;張榮設計研發完成，并于2023-04-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種具有巨大拓撲霍爾效應的碲化鉻薄膜的外延生長方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種具有巨大拓撲霍爾效應的碲化鉻薄膜的外延生長方法，屬于電子材料技術領域，本發明方法首先準備好基片與鉻碲元素化合物靶材，使用泵組將腔室內壓抽至真空后，對基片進行加熱至恒定溫度，采用準分子激光器將激光聚焦到靶材上，沉積全程通過RHEED高能電子衍射儀保持實時原位監控，觀察到沉積薄膜RHEED衍射斑點為清晰三維點陣圖形后，將腔室內溫度降至室溫，取出基片對所得碲化鉻單晶薄膜進行表征測試。測量結果表明，本方法為本技術領域內首次獲得居里溫度高于室溫的碲化鉻鐵磁薄膜，其拓撲霍爾電阻率最大幅度值在現有觀測到拓撲霍爾效應的所有碲化鉻材料體系中最高，方法具有較高的制備效率，可拓展到制備其它高質量的碲化物薄膜。

本發明授權一種具有巨大拓撲霍爾效應的碲化鉻薄膜的外延生長方法在權利要求書中公布了：1.一種具有巨大拓撲霍爾效應的碲化鉻薄膜的外延生長方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟S1，將經預處理過的藍寶石基片置于沉積裝置樣品架上，將Cr與Te元素比為1比3的鉻碲元素化合物靶材放置在沉積裝置靶材臺上，關閉沉積裝置腔室，使用泵組將腔室內壓抽至7±1×10-6Pa后，對基片進行加熱至恒定溫度550±5℃，加熱過程保持腔室內高真空度； 步驟S2，打開沉積裝置RHEED高能電子衍射儀產生照射于基片的電子束，并在熒光屏及攝像頭上形成衍射條紋； 步驟S3，保持腔室內環境不變，采用波長248nm的KrF準分子激光器由激光入射裝置（5）將激光通過透鏡聚焦到鉻碲元素化合物靶材上，沉積全程通過RHEED高能電子衍射儀保持實時原位監控，沉積全程靶材臺保持勻速轉動，使激光均勻地打在靶材上面； 步驟S4，通過沉積裝置熒光屏及攝像頭觀察到沉積薄膜的RHEED衍射斑點為清晰三維點陣圖形后，將腔室內溫度降至室溫，降溫速度低于步驟S1中升溫速度； 步驟S5，從腔室內取出基片，對所得碲化鉻單晶薄膜進行表征測試。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南京大學，其通訊地址為：210023 江蘇省南京市棲霞區仙林大道163號南京大學仙林校區電子學院；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。