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龍圖騰網獲悉南京航空航天大學申請的專利一種存內多比特加法器和存內運算方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116453567B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310437197.4，技術領域涉及：G11C16/04；該發明授權一種存內多比特加法器和存內運算方法是由劉偉強;祝浩男;吳比設計研發完成，并于2023-04-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種存內多比特加法器和存內運算方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種存內多比特加法器和存內運算方法，其中存內多比特加法器包括多個非易失存儲陣列；相鄰兩個非易失存儲陣列通過列間傳遞模塊連接；每個非易失存儲陣列包括預充電放大讀取模塊PCSA、寫驅動電路模塊WR、第一三端器件MTJ和第二三端器件MTJ；本發明針對SOT?MRAM的單極性翻轉特性，結合優化Brent?Kung加法和存內多比特加法器，通過對陣列操作步驟進行優化，實現多比特加法。本發明能夠最大程度減弱SOT?MRAM器件狀態翻轉后需要較長恢復時間的影響，實現步驟少，面積開銷小的存內多比特加法。

本發明授權一種存內多比特加法器和存內運算方法在權利要求書中公布了：1.一種存內多比特加法器，其特征在于，包括多個非易失存儲陣列；相鄰兩個非易失存儲陣列通過列間傳遞模塊連接；每個非易失存儲陣列包括預充電放大讀取模塊PCSA、寫驅動電路模塊WR、第一三端器件MTJ和第二三端器件MTJ； 第一三端器件MTJ的上端連接有第一讀控制晶體管的漏極，右端連接有第一寫控制晶體管的漏極，左端連接有第二三端器件MTJ的左端和第一列選晶體管的源極；第二三端器件MTJ的上端連接有第二讀控制晶體管的漏極，右端連接有第二寫控制晶體管的漏極； 第一讀控制晶體管的源極作為預充電放大讀取模塊PCSA的輸入端，并連接第二讀控制晶體管的源極；預充電放大讀取模塊PCSA設有輸出端Vout和輸出端!Vout；輸出端Vout連接有第一NMOS晶體管的柵極；第一NMOS晶體管的源極接入0V控制信號，漏極連接有第二NMOS晶體管的源極、第一PMOS晶體管的漏極、第二列選晶體管的柵極和第二PMOS晶體管的柵極；第一寫控制晶體管的源極連接有第二寫控制晶體管的源極、第二列選晶體管的源極和第二PMOS晶體管的漏極；第二PMOS晶體管的源極、第一讀控制晶體管和第二讀控制晶體管的源極連接寫驅動電路模塊WR；第二列選晶體管的漏極、第一列選晶體管的漏極和第二NMOS晶體管的漏極均連接GND；第一PMOS晶體管的源極連接VDD； 所述列間傳遞模塊包括第三PMOS晶體管和第三NMOS晶體管；第三PMOS晶體管的源極連接第三NMOS晶體管的源極后，作為列間傳遞模塊的源極；第三PMOS晶體管的漏極連接第三NMOS晶體管的漏極后，作為列間傳遞模塊的漏極；列間傳遞模塊的源極連接一個非易失存儲陣列中第一NMOS晶體管的漏極，漏極連接另一個非易失存儲陣列中第一NMOS晶體管的漏極。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南京航空航天大學，其通訊地址為：211106 江蘇省南京市江寧區將軍大道29號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。