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龍圖騰網(wǎng)獲悉青島大學(xué)申請(qǐng)的專利一種基于B位陽離子吸附策略的鈣鈦礦納米粒子的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN117303433B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202310496511.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C01G21/16；該發(fā)明授權(quán)一種基于B位陽離子吸附策略的鈣鈦礦納米粒子的制備方法是由游超瑜;王涵龍;朱士鳳;邢東明;曲麗君設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-05-05向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種基于B位陽離子吸附策略的鈣鈦礦納米粒子的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種基于B位陽離子吸附策略的鈣鈦礦納米粒子的制備方法，屬于納米材料領(lǐng)域，包括以下步驟：制備納米顆粒為基底材料；對(duì)基底材料進(jìn)行巰基化處理；將含有B位陽離子的前驅(qū)體溶液與巰基化后的基底材料混合，利用巰基的強(qiáng)吸附性將B位陽離子緊緊抓附在基底材料表面，得到B位陽離子結(jié)構(gòu)；將含有A位陽離子的前驅(qū)體溶液與步驟3的產(chǎn)物混合，然后使A位陽離子與B位陽離子配位反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)基底材料表面的鈣鈦礦量子點(diǎn)配位生長；利用原子層沉積系統(tǒng)進(jìn)行惰性殼層包覆。本發(fā)明提供的一種基于B位陽離子吸附策略的鈣鈦礦納米粒子的制備方法，滿足ALD致密殼層包覆需求，提高鈣鈦礦量子點(diǎn)的穩(wěn)定性。

本發(fā)明授權(quán)一種基于B位陽離子吸附策略的鈣鈦礦納米粒子的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于B位陽離子吸附策略的鈣鈦礦納米粒子的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟1、制備納米顆粒為基底材料； 步驟2、對(duì)基底材料進(jìn)行巰基化處理； 步驟3、將含有B位陽離子的前驅(qū)體溶液與巰基化后的基底材料混合，利用巰基的強(qiáng)吸附性將B位陽離子緊緊抓附在基底材料表面，得到B位陽離子吸附的基底材料； 包括： 步驟3.1、將一定濃度的BX2溶解于二甲基甲酰胺中得到含有B位陽離子的前驅(qū)體溶液，其中，B為Pb元素、Sn元素、Mn元素中的一種或多種；X為鹵素元素； 步驟3.2、將含有B位陽離子的前驅(qū)體溶液與步驟2中的巰基化的基底材料充分混合，反應(yīng)一段時(shí)間后離心清洗，獲得B位陽離子吸附的基底材料； 步驟4、將含有A位陽離子的前驅(qū)體溶液與步驟3的產(chǎn)物混合，然后使A位陽離子與B位陽離子配位反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)基底材料表面的鈣鈦礦量子點(diǎn)配位生長； 步驟4.1、將一定濃度的AX溶解于二甲基甲酰胺中得到含有A位陽離子的前驅(qū)體溶液，其中，A為Cs、甲基銨MA、甲脒FA中的一種或多種；X為鹵素元素； 步驟5、利用原子層沉積系統(tǒng)進(jìn)行惰性殼層包覆； 所述惰性殼層為二氧化硅殼層、三氧化二鋁殼層、二氧化鈦殼層中的一種或多種。

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