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龍圖騰網(wǎng)獲悉湖南大學申請的專利一種納米二氧化硅限域C₃N₄室溫磷光材料及其合成方法、應用獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN117384623B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202311112953.2，技術領域涉及：C09K11/65；該發(fā)明授權一種納米二氧化硅限域C₃N₄室溫磷光材料及其合成方法、應用是由李潤;方靜;汪松;涂川俊;劉洪波設計研發(fā)完成，并于2023-08-30向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種納米二氧化硅限域C₃N₄室溫磷光材料及其合成方法、應用在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種納米二氧化硅限域C3N4室溫磷光材料，包括納米二氧化硅以及原位生長于所述納米二氧化硅內(nèi)腔中的C3N4，C3N4為具有類石墨結構的二維片層材料。本發(fā)明還提供一種上述的納米二氧化硅限域C3N4室溫磷光材料的合成方法及其應用。本發(fā)明的納米二氧化硅限域C3N4室溫磷光材料具有良好的穩(wěn)定性和磷光性能，合成方法簡便，不需要高壓設備，不需要重原子參與，無毒、廉價、環(huán)保，是一種新型的室溫磷光材料，可在發(fā)光材料中應用，用于LED、防偽、生物成像等領域。

本發(fā)明授權一種納米二氧化硅限域C₃N₄室溫磷光材料及其合成方法、應用在權利要求書中公布了：1.一種納米二氧化硅限域C3N4作為室溫磷光材料的應用，其特征在于，納米二氧化硅限域C3N4室溫磷光材料包括納米二氧化硅以及原位生長于所述納米二氧化硅內(nèi)腔中的C3N4，C3N4為具有類石墨結構的二維片層材料；所述納米二氧化硅限域C3N4室溫磷光材料的合成方法，包括以下步驟： （1）以CTAC作為表面活性劑，在弱堿性環(huán)境下，水解硅酸四乙酯，獲得白色沉淀，收集沉淀，并洗滌、干燥、煅燒，得到納米限域模板；弱堿性環(huán)境是指pH值為8-8.5，表面活性劑的用量為硅酸四乙酯質(zhì)量的0.2-0.5倍； （2）將步驟（1）中得到的納米限域模板與單氰胺溶液混合，加熱，然后固液分離，干燥固相后經(jīng)過熱縮聚，得到納米二氧化硅限域C3N4室溫磷光材料。

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