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龍圖騰網獲悉北京師范大學珠海校區申請的專利一種高熵氧化物薄膜負極材料及其制備方法和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117187743B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311141420.7，技術領域涉及：C23C14/02；該發明授權一種高熵氧化物薄膜負極材料及其制備方法和應用是由吳杰;陳琳;吳嘉錕;歐陽瀟;廖斌;張旭;英敏菊設計研發完成，并于2023-09-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高熵氧化物薄膜負極材料及其制備方法和應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種高熵氧化物薄膜負極材料及其制備方法和應用，采用磁過濾陰極真空弧方法在銅箔基片上一步沉積出高熵氧化物薄膜，具體包括以下步驟：將基片放在乙醇溶液中清洗；然后放入真空室抽真空；利用氬氣在?300～?600V的負偏壓條件下對基片進行濺射清洗；采用磁過濾陰極真空弧沉積高熵氧化物薄膜，在弧流為50～200A，正偏壓為20～40V、負偏壓為?50～?300V、氧氣流量為5～10sccm條件下進行薄膜沉積，沉積時間為0.5～2h。本發明通過載能離子與金屬靶材表面亞表面的相互作用在室溫下一步實現多種金屬氧化物的精細成膜，與基于化學合成的方法相比，離子術技術能實現氧化物種類、結構和性能的寬域調控，具有更好的產業化應用前景。

本發明授權一種高熵氧化物薄膜負極材料及其制備方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種高熵氧化物薄膜負極材料的制備方法，其特征在于，采用磁過濾陰極真空弧方法在銅箔基片上一步沉積出高熵氧化物薄膜，具體包括以下步驟： 1將基片放在乙醇溶液中清洗； 2清洗完成后，將基片放入真空室抽真空；抽真空后控制工作氣壓小于等于1×10- 2Pa； 3利用氬氣在-300～-600V的負偏壓條件下對基片進行濺射清洗； 4采用磁過濾陰極真空弧沉積高熵氧化物薄膜，將Ni和Cr原子分數均為50％的NiCr靶、Fe靶、Co靶、Mn靶4種金屬靶材作為陰極弧源，沉積尖晶石結構的Fe0.2Co0.2Ni0.2Cr0.2Mn0.23O4薄膜，所述NiCr、Fe、Co、Mn的純度均為99.99％；在弧流為50～200A，正偏壓為20～40V、負偏壓為-50～-300V、氧氣流量為5～10sccm條件下進行薄膜沉積，沉積時間為0.5～2h； 上述磁過濾陰極真空弧的離子束種類涵蓋除第一和第二主族以外的所有金屬元素，能量從10eV到1MeV連續可調，密度從108到1013cm-3連續可調，入射角從0度到180度連續可調，工作壓強從0.1Pa到10Pa連續可調。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京師范大學珠海校區，其通訊地址為：519087 廣東省珠海市香洲區唐家灣金鳳路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。