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龍圖騰網獲悉南昌航空大學申請的專利一種提高C/SiC復合材料抗氧化性的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117586035B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311664392.7，技術領域涉及：C04B35/80；該發明授權一種提高C/SiC復合材料抗氧化性的方法是由楊會永;李文鵬;黃軍同;羅瑞盈;王連毅;陳智;李偉;鄧成謀;邱錦濤設計研發完成，并于2023-12-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種提高C/SiC復合材料抗氧化性的方法在說明書摘要公布了：本發明屬于陶瓷基復合材料技術領域，公開一種提高CSiC復合材料抗氧化性的方法，所述方法為：將碳氈于SiC先驅液中進行浸漬，隨后干燥、高溫裂解，重復該步驟若干次獲得復合材料A；將復合材料A直接進行硅溶膠封孔處理，或先對所述復合材料A先進行硅酸鹽溶膠改性處理后進行硅溶膠封孔處理，以實現提高CSiC復合材料的抗氧化性。本發明將熱膨脹系數與SiC近似，且抗氧化性和熱穩定性較高的硅酸鹽引入CSiC復合材料，可提高復合材料的抗氧化性；進而以硅溶膠浸漬和熱處理的方式將SiO2引入復合材料基體以實現封孔，從而進一步降低了復合材料的孔隙率，提高了CSiC復合材料的抗氧化性。

本發明授權一種提高C/SiC復合材料抗氧化性的方法在權利要求書中公布了：1.一種提高CSiC復合材料抗氧化性的方法，其特征在于，包括以下步驟： SiC改性處理：將碳氈浸于SiC先驅液中進行真空浸漬處理，隨后，對浸漬處理后的碳氈依次進行干燥、高溫裂解處理；重復該步驟若干次，獲得復合材料A； 先對所述復合材料A進行硅酸鹽溶膠改性處理后進行硅溶膠封孔處理，以實現提高CSiC復合材料的抗氧化性； 其中，所述硅酸鹽溶膠改性處理通過以下步驟進行： 將所述復合材料A浸于硅酸鹽溶膠中進行真空浸漬處理，隨后，對浸漬處理后的復合材料A依次進行干燥、高溫裂解處理；重復該步驟若干次，獲得復合材料B； 所述硅溶膠封孔處理通過以下步驟進行： 將所述復合材料B浸于硅溶膠中進行真空浸漬處理，隨后，對浸漬處理后的復合材料B依次進行干燥、熱處理；重復該步驟若干次，以實現提高CSiC復合材料的抗氧化性； 所述硅酸鹽溶膠的濃度為3~5molL； 且所述硅酸鹽溶膠由金屬鹽、硅酸四乙酯、無水乙醇和LiF組成； 其中，所述金屬鹽為氯化鋯、硝酸釔或氯化鉿； 所述硅酸鹽溶膠中，硅與金屬鹽的摩爾比為1.2:1，硅與Li的摩爾比為10:3。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南昌航空大學，其通訊地址為：330000 江西省南昌市紅谷灘區豐和南大道696號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。