TCL華星光電技術(shù)有限公司駱官水獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉TCL華星光電技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利陣列基板及其制作方法、顯示面板獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN117637772B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202311703436.2,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10D86/40;該發(fā)明授權(quán)陣列基板及其制作方法、顯示面板是由駱官水;張寧;唐詩(shī);謝忠憬設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2023-12-12向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本陣列基板及其制作方法、顯示面板在說(shuō)明書(shū)摘要公布了:本申請(qǐng)公開(kāi)了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板。陣列基板的制作方法包括:在襯底上形成橋接金屬層和柵極;在襯底上形成柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層以及第一保護(hù)層,柵極絕緣層覆蓋柵極和橋接金屬層;在第一保護(hù)層上形成厚度不同的三段式光刻膠,并以三段式光刻膠為掩模板,對(duì)第一保護(hù)層、第二金屬層、半導(dǎo)體層和柵極絕緣層進(jìn)行圖案化,圖案化后,第一保護(hù)層上剩余部分光刻膠;繼續(xù)在襯底上形成透明導(dǎo)電連接層;剝離剩余部分光刻膠,以使透明導(dǎo)電連接層形成間隔設(shè)置的導(dǎo)電連接層和像素電極;對(duì)未被導(dǎo)電連接層和像素電極覆蓋的第一保護(hù)層和第二金屬層進(jìn)行刻蝕。本申請(qǐng)旨在減少生產(chǎn)陣列基板所需的光罩?jǐn)?shù)量,簡(jiǎn)化工藝流程,降低生產(chǎn)成本。
本發(fā)明授權(quán)陣列基板及其制作方法、顯示面板在權(quán)利要求書(shū)中公布了:1.一種陣列基板的制作方法,其特征在于,所述陣列基板的制作方法包括以下步驟: 在襯底上形成第一金屬層; 對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行圖案化,形成橋接金屬層和柵極; 在所述襯底上依次形成層疊的柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層以及第一保護(hù)層,所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極和所述橋接金屬層; 在所述第一保護(hù)層上形成厚度不同的三段式光刻膠,并以所述三段式光刻膠為掩模板,對(duì)所述第一保護(hù)層、所述第二金屬層、所述半導(dǎo)體層以及所述柵極絕緣層進(jìn)行圖案化,圖案化后,所述第一保護(hù)層上剩余部分光刻膠; 繼續(xù)在所述襯底上形成透明導(dǎo)電層; 剝離所述剩余部分光刻膠,以使所述透明導(dǎo)電層形成間隔設(shè)置的導(dǎo)電連接層和像素電極;以及 對(duì)未被所述導(dǎo)電連接層和所述像素電極覆蓋的所述第一保護(hù)層和所述第二金屬層進(jìn)行刻蝕。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人TCL華星光電技術(shù)有限公司,其通訊地址為:518132 廣東省深圳市光明新區(qū)塘明大道9-2號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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