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龍圖騰網(wǎng)獲悉青島大學(xué)申請的專利一種大尺寸近紅外發(fā)光的磷化銦量子點(diǎn)的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN118027967B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202410117841.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C09K11/70；該發(fā)明授權(quán)一種大尺寸近紅外發(fā)光的磷化銦量子點(diǎn)的制備方法是由杜中林;侯慶港;唐建國設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-01-29向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種大尺寸近紅外發(fā)光的磷化銦量子點(diǎn)的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及膠體量子點(diǎn)的合成和能源技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種大尺寸近紅外發(fā)光的磷化銦量子點(diǎn)的制備方法。所述方法包括：加入InICl、三正辛基膦、油胺、擬鹵素銨鹽反應(yīng)，加熱并抽真空除去多余氣體；擬鹵素銨鹽受熱分解產(chǎn)生擬鹵素離子，間接產(chǎn)生In?擬鹵素鍵；溫度繼續(xù)升高，注入磷源，反應(yīng)即可得到近紅外發(fā)光的InP量子點(diǎn)，發(fā)射峰在780nm左右，制備的InP量子點(diǎn)的粒徑為10.5±1.3nm；然后純化、包裹殼層，得到InPZnSZnS。本發(fā)明采用安全環(huán)保的擬鹵素銨鹽原位處理方式，產(chǎn)生的擬鹵素離子蝕刻掉磷化銦量子點(diǎn)的表面含氧基團(tuán)，包裹雙層殼后，提高了InP量子點(diǎn)的產(chǎn)率。

本發(fā)明授權(quán)一種大尺寸近紅外發(fā)光的磷化銦量子點(diǎn)的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種大尺寸近紅外發(fā)光的磷化銦量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟： （1）在三口圓底燒瓶中，加入InICl、三正辛基膦、油胺，在反應(yīng)基礎(chǔ)上加入擬鹵素銨鹽，加熱并抽真空除去多余的氣體； （2）加熱的過程中擬鹵素銨鹽，受熱分解產(chǎn)生擬鹵素離子，間接產(chǎn)生In-擬鹵素鍵； 溫度繼續(xù)升高，注入磷源，反應(yīng)30~60min，即可得到近紅外發(fā)光的InP量子點(diǎn)； （3）純化，待溫度降至室溫，加入乙醇并離心以消除雜物，再將產(chǎn)生的沉淀溶解在己烷中，并重復(fù)純化，以產(chǎn)生純的InP量子點(diǎn)； （4）對純化的InP量子點(diǎn)進(jìn)行包裹，使其包裹上兩層ZnS，得到InPZnSZnS； 其中，擬鹵素為PF6?或BF4?的任一種； InICl、擬鹵素銨鹽、三正辛基膦的摩爾比為25：20~35：35；In（I）Cl的摩爾與油胺的體積比為：0.25mmol：4.5ml；加熱的溫度為50~60℃； 注入磷源的溫度為220℃；所述磷源為DMA3P。

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