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龍圖騰網獲悉電子科技大學申請的專利一種耦合分壓的縱向場板器件及制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118299420B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410348505.0，技術領域涉及：H10D30/65；該發明授權一種耦合分壓的縱向場板器件及制造方法是由章文通;吳奇益;李洪博;蔡詩瑤;喬明;李肇基;張波設計研發完成，并于2024-03-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種耦合分壓的縱向場板器件及制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種耦合分壓的縱向場板器件及制造方法，包括：第一導電類型半導體襯底、第一導電類型阱區、第一導電類型重摻雜半導體接觸區、第二導電類型阱區、第二導電類型重摻雜半導體接觸區；場氧化層、柵極金屬；多晶硅電極；通過第二層金屬形成電容耦合結構，在器件內部引入可調節的內部電勢，提出了一種耦合分壓的縱向場板器件，解決了普通縱向場板電勢難以調整的問題，優化器件漂移區的內部電場分布，提高了器件的耐壓能力和工作穩定性。

本發明授權一種耦合分壓的縱向場板器件及制造方法在權利要求書中公布了：1.一種耦合分壓的縱向場板器件，其特征在于包括： 位于第一導電類型半導體襯底11上方的第二導電類型阱區21，第一導電類型阱區12位于第二導電類型阱區21左側，第一導電類型重摻雜半導體接觸區13和第二導電類型重摻雜半導體接觸區23位于第一導電類型阱區12中；源極第一層金屬51位于第一導電類型重摻雜半導體接觸區13和第二導電類型重摻雜半導體接觸區23的上表面；第二導電類型阱區22位于第二導電類型阱區21中，且第二導電類型阱區22內部包圍第二導電類型重摻雜半導體接觸區23，漏極第一層金屬54位于第二導電類型重摻雜半導體接觸區23的上表面；第二介質氧化層32位于第一導電類型阱區12的上方，并且左端與第二導電類型重摻雜半導體接觸區23相接觸，右端與第二導電類型阱區21相接觸；控制柵多晶硅電極42覆蓋在第二介質氧化層32的上表面；第三介質氧化層33位于第二導電類型阱區21的上方，且左端與第二介質氧化層32接觸，右端與第二導電類型重摻雜半導體接觸區23接觸；第一介質氧化層31和多晶硅電極41構成縱向場板，且第一介質氧化層31包圍多晶硅電極41，縱向場板位于第二導電類型阱區21中，且通過通孔與縱向場板第一層金屬53相連；源極第二層金屬61通過通孔與源極第一層金屬51相連，源極第二層金屬61位于源極第一層金屬51上方并在z方向延伸，且向x方向延伸至部分第二導電類型阱區21上方，漏極第二層金屬63通過通孔與漏極第一層金屬54相連，漏極第二層金屬63位于漏極第一層金屬54上方且在z方向延伸，且向x方向延伸至部分第二導電類型阱區21上方，xy平面上縱向場板第二層金屬62位于源極第二層金屬61和漏極第二層金屬63所圍區域內部，縱向場板第二層金屬62在z軸方向與源極第二層金屬61和漏極第二層金屬63保持等間距分布，形成電容耦合結構；其中，從源極第一導電類型重摻雜半導體接觸區13指向漏極第二導電類型重摻雜半導體接觸區23的方向定義為x軸方向，從源極第一導電類型重摻雜半導體接觸區13指向第一導電類型半導體襯底11的方向定義為y軸方向，垂直于xy平面且指向平面里的方向定義為z軸方向。

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