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龍圖騰網(wǎng)獲悉榮耀終端有限公司申請(qǐng)的專利芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子器件及芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN118315347B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202410760077.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/13；該發(fā)明授權(quán)芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子器件及芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法是由趙晗柳;羅定國(guó)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-06-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子器件及芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)公開一種芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子器件及芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，所述芯片封裝結(jié)構(gòu)包括金屬材料制成的承載層、芯片及封裝層，所述芯片包括背向設(shè)置的背面和正面，所述正面設(shè)有電極，所述承載層包括安裝面，所述安裝面上凹設(shè)有凹部，所述凹部由所述安裝面向所述承載層內(nèi)凹陷，所述芯片容置于所述凹部，所述正面與所述安裝面朝向相同，所述芯片的周側(cè)面與所述凹部的側(cè)壁之間具有間隙，所述封裝疊設(shè)于所述承載層并連接于所述安裝面并填充所述間隙，所述封裝層將所述芯片封裝，所述電極露出所述封裝層背向所述承載層的表面。

本發(fā)明授權(quán)芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子器件及芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片封裝結(jié)構(gòu)包括承載層、芯片及封裝層，所述芯片包括背向設(shè)置的背面和正面，所述正面設(shè)有電極， 所述承載層包括安裝面，所述安裝面上凹設(shè)有凹部，所述凹部由所述安裝面向所述承載層內(nèi)凹陷，所述凹部為凹槽且包括底壁，所述底壁的朝向和所述安裝面的朝向相同， 所述芯片容置于所述凹部，所述芯片的背面與所述底壁連接，所述正面與所述安裝面朝向相同，所述芯片的周側(cè)面與所述凹部的側(cè)壁之間具有間隙，所述封裝層疊設(shè)于所述承載層并連接于所述安裝面并填充所述間隙，所述封裝層將所述芯片封裝，所述電極露出所述封裝層背向所述承載層的表面，所述承載層包括銅層和輔助層，所述輔助層與所述銅層層疊并覆蓋所述銅層背向所述安裝面的表面，所述輔助層的材料為鈦銅且在所述銅層制作過程中作為所述銅層的導(dǎo)電極；其中，所述承載層的厚度大于零小于等于芯片的厚度。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人榮耀終端有限公司，其通訊地址為：518040 廣東省深圳市福田區(qū)香蜜湖街道東海社區(qū)紅荔西路8089號(hào)深業(yè)中城6號(hào)樓A單元3401；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。