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龍圖騰網(wǎng)獲悉安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)的專利一種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN118738240B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202410856413.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/812；該發(fā)明授權(quán)一種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件是由鄭錦堅(jiān);黃軍;張會(huì)康;蔡鑫;藍(lán)家彬;劉紫涵;李曉琴;鄧和清;尋飛林;李水清設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-06-28向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件。該III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，從下至上依次包括襯底、n型半導(dǎo)體，有源層和p型半導(dǎo)體，所述有源層為抑制電子溢流量子阱，所述抑制電子溢流量子阱為阱層和壘層組成的周期結(jié)構(gòu)，所述抑制電子溢流量子阱包括第一抑制電子溢流量子阱和第二抑制電子溢流量子阱；該III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，通過調(diào)控抑制電子溢流量子阱空穴遷移率和電子遷移率的平衡，增強(qiáng)量子阱中電子和空穴波函數(shù)的量子限制效應(yīng)，提升量子阱中電子和空穴的輻射復(fù)合效率和速率，減少多余電子溢流效應(yīng)，提升發(fā)光元件在大電流注入下的發(fā)光效率，降低大電流注入下的效率衰減和高溫條件下的熱衰減。

本發(fā)明授權(quán)一種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，從下至上依次包括襯底、n型半導(dǎo)體，有源層和p型半導(dǎo)體，其特征在于，所述有源層為抑制電子溢流量子阱，所述抑制電子溢流量子阱為阱層和壘層組成的周期結(jié)構(gòu)，所述抑制電子溢流量子阱包括第一抑制電子溢流量子阱和第二抑制電子溢流量子阱；所述第一抑制電子溢流量子阱的空穴遷移率的谷值位置往n型半導(dǎo)體方向的上升角度為β，所述第一抑制電子溢流量子阱的價(jià)帶有效態(tài)密度的谷值位置往n型半導(dǎo)體方向的上升角度為γ，所述第一抑制電子溢流量子阱的輕空穴有效質(zhì)量的谷值位置往n型半導(dǎo)體方向的上升角度為θ，所述第一抑制電子溢流量子阱的重空穴有效質(zhì)量的峰值位置往n型半導(dǎo)體方向的上升角度為ψ，其中：ψ≤θ≤γ≤β；所述第二抑制電子溢流量子阱的空穴遷移率的谷值位置往n型半導(dǎo)體方向的上升角度為δ，所述第二抑制電子溢流量子阱的價(jià)帶有效態(tài)密度的谷值位置往n型半導(dǎo)體方向的上升角度為ε，所述第二抑制電子溢流量子阱的輕空穴有效質(zhì)量的谷值位置往n型半導(dǎo)體方向的上升角度為η，所述第二抑制電子溢流量子阱的重空穴有效質(zhì)量的谷值位置往n型半導(dǎo)體方向的上升角度為μ，其中：μ≤η≤ε≤δ，所述角度為曲線的切線傾斜角。

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