江西兆馳半導體有限公司鄭文杰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江西兆馳半導體有限公司申請的專利一種發光二極管的外延片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118782699B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410997546.2，技術領域涉及：H10H20/812；該發明授權一種發光二極管的外延片及其制備方法是由鄭文杰;程龍;高虹;劉春楊;胡加輝;金從龍設計研發完成，并于2024-07-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種發光二極管的外延片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體材料的技術領域，公開了一種發光二極管的外延片及其制備方法，所述外延片包括襯底，在所述襯底上依次層疊的緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱層、低溫P型層、電子阻擋層和P型GaN層；所述多量子阱層具有V型坑結構；其中，所述低溫P型層包括由下至上依次層疊的AlN層、Mg?AlInGaN層和Mg?InGaNAlGaN超晶格結構層。實施本發明，能夠提高活化Mg濃度，提高空穴濃度，提高空穴注入效率，減少電子溢流效應，減少發光二極管漏電，提升發光二極管的發光效率和發光亮度。
本發明授權一種發光二極管的外延片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管的外延片，其特征在于，包括襯底，在所述襯底上依次層疊的緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱層、低溫P型層、電子阻擋層和P型GaN層；所述多量子阱層具有V型坑結構； 其中，所述低溫P型層包括由下至上依次層疊的AlN層、Mg-AlInGaN層和Mg-InGaNAlGaN超晶格結構層； 所述Mg-InGaNAlGaN超晶格結構層為周期性交替生長的Mg-InGaN層和AlGaN層，交替周期數為1~20，所述AlGaN層將V型坑結構填平； 所述Mg-AlInGaN層中的Mg的摻雜濃度低于所述Mg-InGaN層中的Mg的摻雜濃度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西兆馳半導體有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市南昌高新技術產業開發區天祥北大道1717號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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