買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉昆明理工大學(xué)申請(qǐng)的專利一種低太陽光吸收率、高紅外發(fā)射率航天熱控薄膜及制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119036992B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202411152189.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：B32B37/10；該發(fā)明授權(quán)一種低太陽光吸收率、高紅外發(fā)射率航天熱控薄膜及制備方法是由童仲秋;馬文會(huì);李紹元;李振宇;徐洪波;向旨政設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-08-21向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種低太陽光吸收率、高紅外發(fā)射率航天熱控薄膜及制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及航天器熱控技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種低太陽光吸收率、高紅外發(fā)射率航天熱控薄膜及制備方法，本發(fā)明采用原子沉積技術(shù)將氧化硅包覆于自支撐陽極氧化鋁納米管陣列薄膜的表面，進(jìn)而在該氧化硅陽極氧化鋁薄膜的一側(cè)粘結(jié)表面沉積有納米銀層的鋁箔，形成熱控薄膜。陽極氧化鋁納米管陣列使得氧化硅沉積包覆層具有高比表面積的紅外發(fā)射點(diǎn)，從而使得熱控薄膜在表現(xiàn)出高紅外發(fā)射率；金屬鋁薄膜使得熱控薄膜具有高太陽光譜反射率；納米管陣列結(jié)構(gòu)通過電磁波局域共振機(jī)制而進(jìn)一步增強(qiáng)薄膜的紅外輻射特性。制備的熱控薄膜在太陽光譜反射率為0.86，在大氣窗口的紅外發(fā)射率為0.96，從而使得可熱控薄膜表現(xiàn)出良好的制冷效率。

本發(fā)明授權(quán)一種低太陽光吸收率、高紅外發(fā)射率航天熱控薄膜及制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種低太陽光吸收率、高紅外發(fā)射率航天熱控薄膜，其特征在于，從向陽面往內(nèi)側(cè)依次包括：氧化硅陽極氧化鋁層、納米厚度銀層、微米級(jí)厚度鋁層；其中氧化硅陽極氧化鋁層是由氧化硅包覆層和陽極氧化納米管陣列層構(gòu)成； 在具有周期性結(jié)構(gòu)的自支撐陽極氧化鋁納米管陣列薄膜表面沉積包覆氧化硅層后，于該復(fù)合薄膜的一側(cè)熱壓結(jié)合納米厚度銀層微米級(jí)厚度鋁層疊層薄膜，制成低太陽光吸收率、高紅外發(fā)射率的熱控薄膜；該薄膜使用時(shí)，未粘結(jié)微米級(jí)厚度鋁層一側(cè)作為向陽面。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人昆明理工大學(xué)，其通訊地址為：650093 云南省昆明市五華區(qū)學(xué)府路253號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。