浙江麥格智芯科技有限公司于廣華獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉浙江麥格智芯科技有限公司申請的專利一種高性能磁碼盤AlNiCo復合薄膜材料及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119101875B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411160434.8，技術領域涉及：C23C14/35；該發明授權一種高性能磁碼盤AlNiCo復合薄膜材料及其制備方法是由于廣華;于楊欣燕;徐秀蘭設計研發完成，并于2024-08-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種高性能磁碼盤AlNiCo復合薄膜材料及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種高性能磁碼盤AlNiCo復合薄膜材料及其制備方法，涉及磁性材料技術領域，包括：基底層，以及沉積于基底層上的含有非磁性鐵磁性復合多層薄膜；其中薄膜中至少包括多層AlNiCo膜，以及插層金屬膜和保護層金屬膜。本發明使AlNiCo薄膜分別滿足了高磁性薄膜和無磁緩沖層的性能要求，所述薄膜材料的制備方法簡單、性能高且成本低，為薄膜型磁碼盤材料的制備及應用提供科學依據和創新思路。
本發明授權一種高性能磁碼盤AlNiCo復合薄膜材料及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種高性能磁碼盤AlNiCo復合薄膜材料的制備方法，其特征在于，包括： 步驟S1、提供基底層； 步驟S2、采用磁控濺射的方式，在基底層上依次直流濺射FeCoNiAlTiCu靶、Cr靶、FeCoNiAlTiCu靶和Ti靶、FeCoNiAlTiCu靶、W靶、FeCoNiAlTiCu靶和Ti靶，獲得薄膜； 步驟S3、對薄膜進行真空退火，即得到復合薄膜材料； FeCoNiAlTiCu靶中，Fe:Co:Ni:Al:Ti:Cu=34:35:15:7:5:4。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江麥格智芯科技有限公司，其通訊地址為：312000 浙江省紹興市新昌縣澄潭街道新昌高創智造科技園1號樓東側101-12(住所申報)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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