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龍圖騰網獲悉江西耀馳科技有限公司;江西兆馳半導體有限公司申請的專利倒裝LED芯片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119029105B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411162503.9，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權倒裝LED芯片及其制備方法是由徐洲;馬婷;曹廣亮;胡加輝;金從龍設計研發完成，并于2024-08-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本倒裝LED芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種倒裝LED芯片及其制備方法，涉及半導體光電器件領域。LED芯片的制備方法包括以下步驟：S1、提供外延片；S2、形成鍵合層；S3、與永久襯底鍵合；S4、形成第一通孔；S5、在第一通孔內形成第一P電極，得到中間體；其中，第一P電極包括依次層疊于P型半導體層上的第一歐姆接觸金屬層、墊高層和金屬保護層；第一P電極的高度與第一通孔的深度相同；S6、退火；S7、同時在N型半導體層和金屬保護層上分別形成第一金屬電極層和第二金屬電極層，第一金屬電極層和第二金屬電極層均包括第二歐姆接觸金屬層和刻蝕阻擋層；S8、退火；S9、形成DBR層，并在第一金屬電極層、第二金屬電極層所在區域刻蝕形成第二通孔和第三通孔；S10、形成N電極和第二P電極；N電極通過第二通孔與第一金屬電極層形成電連接，第二P電極通過第三通孔與第一P電極形成電連接；N電極和第二P電極的高度相同；S11、切割。實施本發明，可提升倒裝LED芯片的可靠性。

本發明授權倒裝LED芯片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種倒裝LED芯片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： S1、提供外延片，所述外延片包括臨時襯底和依次層疊于所述臨時襯底上的N型半導體層、有源層和P型半導體層； S2、在所述P型半導體層上形成鍵合層； S3、將步驟S2得到的外延片與永久襯底鍵合，并去除所述臨時襯底； S4、形成第一通孔，所述第一通孔刻蝕至所述P型半導體層； S5、在所述第一通孔內形成第一P電極，得到中間體；其中，所述第一P電極包括依次層疊于所述P型半導體層上的第一歐姆接觸金屬層、墊高層和金屬保護層；所述第一P電極的高度與所述第一通孔的深度相同； S6、將步驟S5得到的中間體退火，以使所述第一歐姆接觸金屬層與所述P型半導體層形成歐姆接觸； S7、同時在所述N型半導體層和所述金屬保護層上分別形成第一金屬電極層和第二金屬電極層，所述第一金屬電極層和第二金屬電極層均包括第二歐姆接觸金屬層和刻蝕阻擋層； S8、將步驟S7得到的中間體退火，以使所述第一金屬電極層的第二歐姆接觸金屬層與所述N型半導體層形成歐姆接觸； S9、在步驟S8得到的中間體上形成DBR層，并在第一金屬電極層、第二金屬電極層所在區域刻蝕形成第二通孔和第三通孔； S10、形成N電極和第二P電極，得到LED晶圓；其中，所述N電極通過第二通孔與所述第一金屬電極層形成電連接，所述第二P電極通過所述第三通孔與所述第一P電極形成電連接；所述N電極和所述第二P電極的高度相同； S11、將所述LED晶圓切割，得到倒裝LED芯片。

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