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龍圖騰網(wǎng)獲悉江西耀馳科技有限公司;江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)的專利一種正極性紅外LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN118919623B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202411183507.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/816；該發(fā)明授權(quán)一種正極性紅外LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法是由金釗;曹廣亮;徐洲;胡加輝;金從龍?jiān)O(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-08-27向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種正極性紅外LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料的技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種正極性紅外LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，所述外延結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置的緩沖層、N?AlGaAs電流擴(kuò)展層、N?AlGaAs限制層、多量子阱層、P?AlGaAs限制層、P?AlGaAs電流擴(kuò)展層、P型GaAs歐姆接觸層，P?AlGaAs電流擴(kuò)展層為C摻雜AlGaAs層和Mg摻雜AlGaAs層周期性交替層疊形成的超晶格，有利于將外延層的空穴分布得更加均勻，生長出高質(zhì)量、高均勻性的外延層，提高LED芯片的良率，同時(shí)減少吸光，有效提高發(fā)光效率和發(fā)光強(qiáng)度。

本發(fā)明授權(quán)一種正極性紅外LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種正極性紅外LED的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括依次層疊設(shè)置的緩沖層、N-AlGaAs電流擴(kuò)展層、N-AlGaAs限制層、多量子阱層、P-AlGaAs限制層、P-AlGaAs電流擴(kuò)展層、P型GaAs歐姆接觸層； 其中，所述P-AlGaAs電流擴(kuò)展層為C摻雜AlGaAs層和Mg摻雜AlGaAs層周期性交替層疊形成的超晶格，周期數(shù)為33~150，每個(gè)周期中，所述C摻雜AlGaAs層位于所述Mg摻雜AlGaAs層的下方； 所述Mg摻雜AlGaAs層生長完成后進(jìn)行退火處理，隨后生長下一周期的C摻雜AlGaAs層，所述退火處理為：保持溫度650℃~720℃進(jìn)行退火5s~10s。

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