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龍圖騰網(wǎng)獲悉長(zhǎng)春理工大學(xué);北京理工大學(xué);中國人民解放軍國防科技大學(xué)申請(qǐng)的專利一種基于量子點(diǎn)的耦合碳化硅原位生長(zhǎng)的離子束拋光方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119890029B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202411727075.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)一種基于量子點(diǎn)的耦合碳化硅原位生長(zhǎng)的離子束拋光方法是由郝群;陳夢(mèng)璐;石峰;趙雪;彭星;喬冬陽設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-11-28向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種基于量子點(diǎn)的耦合碳化硅原位生長(zhǎng)的離子束拋光方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于量子點(diǎn)的耦合碳化硅原位生長(zhǎng)的離子束拋光方法，屬于SiC表面拋光技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的原位生長(zhǎng)有量子點(diǎn)犧牲層的SiC材料的制備方法，包括以下步驟：將鉛源、銫源與溶劑混合，得到CsPbBr3前驅(qū)體溶液；將所述CsPbBr3前驅(qū)體溶液滴加到SiC材料表面，涂平，升溫析晶，退火，得到原位生長(zhǎng)有量子點(diǎn)犧牲層的SiC材料。本發(fā)明提出了一種基于量子點(diǎn)耦合碳化硅原位生長(zhǎng)的離子束拋光方法，將量子點(diǎn)層作為SiC晶圓的犧牲層，不僅可以有效降低犧牲層厚度，顯著改善SiC表面的平整度，也可以實(shí)現(xiàn)良好的熒光標(biāo)記效果。本發(fā)明制得的CsPbBr3量子點(diǎn)具有極小的納米尺寸，能夠深入填充SiC晶圓表面的微裂紋和微納劃痕，與SiC晶圓表面的微裂痕完全耦合，實(shí)現(xiàn)對(duì)缺陷的精準(zhǔn)填補(bǔ)。

本發(fā)明授權(quán)一種基于量子點(diǎn)的耦合碳化硅原位生長(zhǎng)的離子束拋光方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種原位生長(zhǎng)量子點(diǎn)犧牲層的SiC材料的拋光方法，其特征在于，包括以下步驟： Ar氣氣氛中，對(duì)所述原位生長(zhǎng)有量子點(diǎn)犧牲層的SiC材料進(jìn)行脈沖離子束拋光，得到拋光后的SiC材料； 所述脈沖離子束拋光的參數(shù)為：離子束速率功率110W，屏柵電壓800V，加速柵電壓110V，屏柵電流18mA，中和器電流158mA，Ar氣流量20SCCM，拋光時(shí)間1-2min； 原位生長(zhǎng)有量子點(diǎn)犧牲層的SiC材料的制備方法包括以下步驟： （1）將鉛源、銫源與溶劑混合，得到CsPbBr3前驅(qū)體溶液； （2）將所述CsPbBr3前驅(qū)體溶液滴加到SiC材料表面，涂平，升溫析晶，退火，得到原位生長(zhǎng)有量子點(diǎn)犧牲層的SiC材料； 所述鉛源為PbBr2；所述銫源CsBr；所述鉛源和銫源的摩爾比為0.9-1.1。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人長(zhǎng)春理工大學(xué);北京理工大學(xué);中國人民解放軍國防科技大學(xué)，其通訊地址為：130028 吉林省長(zhǎng)春市衛(wèi)星路7089號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。