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龍圖騰網獲悉安徽格恩半導體有限公司申請的專利一種設有量子限制斯塔克調控層的半導體激光元件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119674711B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411774850.7，技術領域涉及：H01S5/34；該發明授權一種設有量子限制斯塔克調控層的半導體激光元件是由鄭錦堅;尋飛林;鄧和清;張會康;黃軍;劉紫涵;蔡鑫;李曉琴;張江勇;李水清設計研發完成，并于2024-12-05向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種設有量子限制斯塔克調控層的半導體激光元件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種設有量子限制斯塔克調控層的半導體激光元件，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導層、有源層、上波導層、上限制層，所述有源層與下波導層之間設有量子限制斯塔克調控層。本發明調控有源層的電場分布，誘導產生疇壁運動，抑制有源層的量子限制斯塔克效應及InN相分離，改善界面質量，降低非輻射復合中心；增強光場限制和限制因子，提升激光器的光功率；所述量子限制斯塔克調控層產生晶格位移誘導相變，改善InN和GaN的互溶隙，抑制有源層和波導層的InN偏析，降低In組分漲落，降低熱退化，提升界面晶體質量和熱穩定性，降低非輻射復合中心，提升激光功率和斜率效率。

本發明授權一種設有量子限制斯塔克調控層的半導體激光元件在權利要求書中公布了：1.一種設有量子限制斯塔克調控層的半導體激光元件，從下至上依次包括襯底（100）、下限制層（101）、下波導層（102）、有源層（103）、上波導層（104）、上限制層（105），其特征在于，所述有源層（103）與下波導層（102）之間設有量子限制斯塔克調控層（106），所述量子限制斯塔克調控層（106）為GaN、InGaN、InN、AlInN、AlGaN、AlInGaN、AlN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、InGaAsN、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP、GaSb、InSb、InAs、InAsSb、AlGaSb、AlSb、InGaSb、AlGaAsSb、InGaAsSb、SiC、Ga2O3、BN、ZrW2O8、ScF3、CoSe2、Fe3C、LaCu3Fe4O12、Yb8Ge3Sb5中含In元素的任意組合； 所述量子限制斯塔克調控層（106）的電子親和能分布具有函數y1=A+B*x2+C*ex曲線形狀分布，其中A、B、C為任意數值；所述量子限制斯塔克調控層（106）的電子親和能≤下波導層（102）的電子親和能≤有源層（103）的電子親和能； 所述量子限制斯塔克調控層（106）的折射率系數分布具有函數y2=D+E*x2+F*sinx曲線形狀分布，其中D、E、F為任意數值；所述量子限制斯塔克調控層（106）的折射率≤下波導層（102）的折射率≤有源層（103）的折射率 所述量子限制斯塔克調控層（106）的彈性系數分布具有函數y3=G+H*exsinx曲線形狀分布，其中G、H為任意數值；所述有源層（103）的彈性系數≤下波導層（102）的彈性系數≤量子限制斯塔克調控層（106）的彈性系數； 所述量子限制斯塔克調控層（106）的自發極化系數分布具有函數y4=I+J*excosx曲線形狀分布，其中I、J為任意數值；所述有源層（103）的自發極化系數≤下波導層（102）的自發極化系數≤量子限制斯塔克調控層（106）的自發極化系數。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人安徽格恩半導體有限公司，其通訊地址為：237000 安徽省六安市金安區巢湖路288號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。