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龍圖騰網獲悉中國科學院上海微系統與信息技術研究所申請的專利一種半導體器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119677202B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411851736.X，技術領域涉及：H10F55/20；該發明授權一種半導體器件及其制備方法是由武震宇;陳浩;彭霄設計研發完成，并于2024-12-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件及其制備方法，半導體器件中，第一襯底包括貫穿第一表面和第二表面的第一通孔，第二襯底包括貫穿第三表面和第四表面的第二通孔；微波傳輸線在第三表面，帶有NV色心的鉆石底面的微波天線架設在第二通孔上，微波天線與微波傳輸線耦合；激光源元件在第四表面下方，光電探測器在第一表面上。本發明設計激光源與鉆石芯片集成的半導體器件，用MEMS技術實現集成磁場傳感器，可批量低成本生產；同時對準激光源與微波天線的通孔，提高磁場傳感器的使用靈活性和可靠性；另外第一通孔側壁傾斜的設計，提高光電探測器的熒光收集效率，提高磁場傳感器的靈敏度；最后長通濾光片和反射金屬層進一步提高同體積下量子磁場傳感器的靈敏度。

本發明授權一種半導體器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：激光源元件和鉆石芯片； 所述鉆石芯片包括光電探測器、支撐結構、帶有NV色心的鉆石和微波激發結構； 所述支撐結構包括第一襯底和第二襯底，所述第一襯底包括相對的第一表面、第二表面以及貫穿所述第一表面和所述第二表面的第一通孔，所述第二襯底包括相對的第三表面、第四表面以及貫穿所述第三表面和所述第四表面的第二通孔；所述第一通孔在所述第二表面上的投影面積大于等于所述帶有NV色心的鉆石在所述第二表面上的投影面積，所述第二通孔在所述第二表面上的投影面積小于所述帶有NV色心的鉆石在所述第二表面上的投影面積； 所述微波激發結構包括微波天線和微波傳輸線，所述微波傳輸線位于所述第二襯底的第三表面未設置所述第二通孔的位置，所述微波天線位于所述帶有NV色心的鉆石底面，所述帶有NV色心的鉆石底面通過所述第一通孔架設在所述第三表面的所述第二通孔上，所述微波天線與所述微波傳輸線之間耦合連接； 所述激光源元件位于所述第二襯底的第四表面下方，用于產生激光從所述第四表面貫穿所述第二通孔到達所述帶有NV色心的鉆石；所述光電探測器位于所述第一襯底的第一表面上，用于接收所述帶有NV色心的鉆石受所述微波天線的微波激發產生的目標熒光信號并將目標熒光信號轉化為光電流信號。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院上海微系統與信息技術研究所，其通訊地址為：200050 上海市長寧區長寧路865號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。