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龍圖騰網(wǎng)獲悉華中科技大學(xué)申請的專利一種基于鉿鋁氧化物復(fù)合介質(zhì)為阻擋層的電荷俘獲型閃存存儲器及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119767678B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411866864.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B43/30；該發(fā)明授權(quán)一種基于鉿鋁氧化物復(fù)合介質(zhì)為阻擋層的電荷俘獲型閃存存儲器及其制備方法是由劉璐;江春陽;朱元慧;梁秋雯;程曉敏;徐靜平設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-12-18向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種基于鉿鋁氧化物復(fù)合介質(zhì)為阻擋層的電荷俘獲型閃存存儲器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提出了一種基于鉿鋁氧化物復(fù)合介質(zhì)為阻擋層的電荷俘獲型閃存存儲器及其制備方法。所述存儲器包括：Si襯底、隧穿層Al2O3薄膜、存儲層Si3N4薄膜、阻擋層和Al電極層；所述隧穿層、存儲層、阻擋層依次沉積在Si襯底表面，在所述阻擋層的表面蒸鍍Al電極層；所述阻擋層為周期性交疊沉積生長HfO2和Al2O3形成鉿鋁氧化物復(fù)合介質(zhì)薄膜。本發(fā)明通過周期性交疊沉積HfO2和Al2O3以形成不同HfAl元素比的HfO2?Al2O3原子疊層結(jié)構(gòu)，這種生長方式有利于Hf?O與Al?O之間元素擴撒和缺陷的填充，通過控制HfAl元素比例，可以提高阻擋層介電常數(shù)，在相同操作電壓下，作用在隧穿層的電壓更高，更多電荷被注入擦出存儲層，一定程度上提高了器件的存儲窗口大小，且保持、疲勞特性與Al2O3作為阻擋層的器件相比沒有變差。

本發(fā)明授權(quán)一種基于鉿鋁氧化物復(fù)合介質(zhì)為阻擋層的電荷俘獲型閃存存儲器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于鉿鋁氧化物復(fù)合介質(zhì)為阻擋層的電荷俘獲型閃存存儲器，其特征在于：該存儲器包括：Si襯底、隧穿層、存儲層、阻擋層和Al電極層； 所述隧穿層、存儲層、阻擋層依次沉積在Si襯底表面，在所述阻擋層的表面蒸鍍Al電極層； 所述隧穿層為Al2O3薄膜，存儲層為Si3N4薄膜，阻擋層為周期性交疊沉積生長HfO2和Al2O3形成的鉿鋁氧化物復(fù)合介質(zhì)薄膜； 所述鉿鋁氧化物復(fù)合介質(zhì)薄膜為HfmAlnOy，HfAl的原子比m為18～2，y為1.5-2。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人華中科技大學(xué)，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。