中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所王林獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所申請的專利基于籠目材料的光電探測器、制備方法、測試系統(tǒng)及方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120322051B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510798528.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F71/00；該發(fā)明授權(quán)基于籠目材料的光電探測器、制備方法、測試系統(tǒng)及方法是由王林;衛(wèi)英東;張立波;胡震;胡偉達(dá);陳效雙設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-06-16向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本基于籠目材料的光電探測器、制備方法、測試系統(tǒng)及方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于光電探測技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及基于籠目材料的光電探測器、制備方法、測試系統(tǒng)及方法。所述制備方法包括S1、設(shè)計仿真電磁場耦合天線，制作紫外光刻掩模版，繪制EBL曝光圖形；S2、襯底裂片，紫外光刻工藝制備金屬pad；S3、干法轉(zhuǎn)移Kagome材料至襯底目標(biāo)位置；S4、EBL微納工藝制備源漏電極；S5、引線封裝。本發(fā)明能夠增強微波和太赫茲波段低能光子探測，降低器件噪聲。
本發(fā)明授權(quán)基于籠目材料的光電探測器、制備方法、測試系統(tǒng)及方法在權(quán)利要求書中公布了：1.基于籠目材料的光電探測器制備方法，其特征在于，包括： S1、設(shè)計仿真電磁場耦合天線，制作紫外光刻掩模版，繪制EBL曝光圖形； S2、襯底裂片，紫外光刻工藝制備金屬pad； S3、干法轉(zhuǎn)移Kagome材料至襯底目標(biāo)位置； S4、EBL微納工藝制備源漏電極； S5、引線封裝； 所述Kagome材料為RbV3Sb5材料。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所，其通訊地址為：200080 上海市虹口區(qū)玉田路500號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當(dāng)日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔(dān)任何法律責(zé)任的依據(jù)或者憑證。
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